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VDMOS功率器件芯片焊接层空洞补偿结构

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

VDMOS功率器件芯片焊接层空洞补偿结构。涉及电子封装技术领域，尤其涉及VDMOS功率器件芯片焊接层空洞补偿结构。提供了一种结构简单，有效减小芯片温升及其对器件封装结构和器件性能的影响，提高器件质量可靠性的VDMOS功率器件芯片焊接层空洞补偿结构。包括基板，所述基板上设有芯片焊接区；所述芯片焊接区的中心和四角端分别设有金属凸点组，所述金属凸点组包括金属中心凸点，所述金属中心凸点的外侧设有至少一个金属凸点环。所述金属凸点环包括至少两个，其从内到外依次分别为第一金属凸点环、第二金属凸点环……第n金属凸点环；n≥3，n为整数。本实用新型设计独特、结构简单、制作方便。

VDMOS功率器件塑封防分层翘曲结构

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

VDMOS功率器件塑封防分层翘曲结构。涉及电子封装技术领域，尤其涉及VDMOS功率器件塑封用防分层翘曲结构。提供了一种结构简单，方便加工，提高产品质量的VDMOS功率器件塑封防分层翘曲结构。包括矩形基板，所述基板的顶面中间设有矩形芯片粘接区，基板顶面四角端分别设有第一金属凸柱组，基板顶面的芯片粘接区四角外侧分别设有第二金属凸柱组，基板底面设有第三金属凸柱组和第四金属凸柱组，所述基板和第一~四金属凸柱组上覆盖有塑封体；所述第一金属凸柱组位于第三金属凸柱组的正上方，第二金属凸柱组位于第四金属凸柱组的正上方。本实用新型的VDMOS功率器件防分层翘曲结构设计独特、结构简单、制作方便。

插脚连排式二极管框架板及其加工装置

专利类型：实用新型法律状态：

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插脚连排式二极管框架板及其加工装置。涉及二极管结构领域，尤其涉及其中框架的改进。提出了一种结构精巧、使用方便、稳定性高且废料少、加工成本低的插脚连排式二极管框架板及其加工装置。二极管框架板包括若干框架排，所述框架排包括若干平行设置且依次排列的框架，所述框架包括本体和位于本体两侧的引脚，相邻框架排中的多个引脚依次交错、且相邻引脚之间通过废料连为一体。一块所述废料中开设有一对分别贴合两引脚的定位孔。本实用新型提升了单位面积的铜材利用率提升，提升产品的生产效率，降低产品的成本。

具有散热组件的贴片整流桥

专利类型：实用新型法律状态：

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具有散热组件的贴片整流桥。涉及电路板结构领域，尤其涉及对贴片整流桥的散热部件的改进。所述贴片整流桥的本体上开设有螺纹孔，所述散热组件包括散热片和固定螺栓，所述散热片设于本体的顶面上、且其中部开设有与固定螺栓适配的容置孔，所述固定螺栓穿设所述容置孔、且与螺纹孔螺纹连接。所述贴片整流桥包括若干于PCB板固定相连的引脚，所述引脚的端面上设有至少一个凸棱。所述凸棱沿螺纹孔的径向设置。本实用新型从整体上具有结构稳定、加工成本低、散热效果好且易于推广的优点。

一种适用于金属丝键合的trench肖特基芯片及其加工工艺

专利类型：发明专利法律状态：

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一种适用于金属丝键合的trench肖特基芯片及其加工工艺。涉及一种肖特基芯片及其加工工艺，尤其涉及一种适用于金属丝键合的肖特基芯片及其加工工艺。提供了一种在芯片区域内增加平面键合区域，避免沟槽损伤的适用于金属丝键合的trench肖特基芯片及其加工工艺。所述trench区域上还设有平面键合区，所述平面键合区为光滑平面，所述平面键合区上敷设表面金属。所述trench区域的边缘和平面键合区的边缘分别设有保护环。所述沟槽的内壁经过氧化处理，形成二氧化硅层。本发明便于用户使用，也便于生产者区分键合线路走向，使芯片连接更加直观，便于查找故障点。

一种VDMOS功率器件塑封防分层翘曲结构

专利类型：发明专利法律状态：

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一种VDMOS功率器件塑封防分层翘曲结构。涉及电子封装技术领域，尤其涉及VDMOS功率器件塑封用防分层翘曲结构。提供了一种结构简单，方便加工，提高产品质量的VDMOS功率器件塑封防分层翘曲结构。包括矩形基板，所述基板的顶面中间设有矩形芯片粘接区，基板顶面四角端分别设有第一金属凸柱组，基板顶面的芯片粘接区四角外侧分别设有第二金属凸柱组，基板底面设有第三金属凸柱组和第四金属凸柱组，所述基板和第一~四金属凸柱组上覆盖有塑封体；所述第一金属凸柱组位于第三金属凸柱组的正上方，第二金属凸柱组位于第四金属凸柱组的正上方。本发明的VDMOS功率器件防分层翘曲结构设计独特、结构简单、制作方便。

一种VDMOS功率器件芯片焊接层空洞补偿结构

专利类型：发明专利法律状态：

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一种VDMOS功率器件芯片焊接层空洞补偿结构。涉及电子封装技术领域，尤其涉及VDMOS功率器件芯片焊接层空洞补偿结构。提供了一种结构简单，有效减小芯片温升及其对器件封装结构和器件性能的影响，提高器件质量可靠性的VDMOS功率器件芯片焊接层空洞补偿结构。包括基板，所述基板上设有芯片焊接区；所述芯片焊接区的中心和四角端分别设有金属凸点组，所述金属凸点组包括金属中心凸点，所述金属中心凸点的外侧设有至少一个金属凸点环。所述金属凸点环包括至少两个，其从内到外依次分别为第一金属凸点环、第二金属凸点环……第n金属凸点环；n≥3，n为整数。本发明设计独特、结构简单、制作方便。

一种碳化硅表面清洁方法

专利类型：发明专利法律状态：

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一种碳化硅表面清洁方法。提供了一种方便清洁、降低表面消耗，操作可靠性高的碳化硅表面清洁方法。包括以下步骤：S1：在碳化硅具有杂质的表面沉积一层固体物质；S2：将固体物质与碳化硅表面物质进行反应，形成反应层；S3：去除反应层以及反应层上剩余的固体物质；S4：清洁完成。本发明在工作中，与碳化硅紧密接触的固体材料，在高温下，短时间内与碳化硅材料（以及其表面杂质污染物质）反应，形成化合物，并且可以被这种固体材料以及其化合物对应的湿法腐蚀工艺去除，留下干净新鲜的理想碳化硅表面。

半导体塑封料自动上料装置

专利类型：实用新型法律状态：

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半导体塑封料自动上料装置。提供了一种工作效率高，并降低人力成本的半导体塑封料自动上料装置。包括振荡上料机构和上料模具，所述振荡上料机构从上到下依次包括振荡筛、漏斗型振荡孔以及上料管，所述上料管中设有若干水平挡板开关，所述振荡筛的筛孔的孔径大于塑封料的直径，所述漏斗型振荡孔的上孔径大于筛孔的孔径，下孔径大于一个塑封料的直径并小于两个塑封料的直径；所述上料模具上表面设有若干与上料管底部对应的凹槽。本实用新型结构简单，人只需将料倒在振动筛上即可，大大降低了劳动强度和人力成本，实现自动上料，提高工作效率。

激光打标系统

专利类型：实用新型法律状态：

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激光打标系统。涉及芯片的打标工艺，打标时不需要切断工艺连接条，打标效率高且人工工作强度低。包括一对机架，一对机架之间设有一对旋向相反的传送带，一对传送带分别由不同的步进电机带动，一对传送带之间放置芯片，芯片有传送带带动，一对所述机架之间顺次设有检测机构、分拣机构和打标机构，芯片通过传送带传送依次经过检测机构、分拣机构和激光打标机构，步进电机、检测机构、分拣机构和激光打标机构分别连接控制器。检测到不良品时，打标器在不良品上印记，不良品能够被分拣出来。气动剪刀将不良品芯片的引脚部分剪断。不需要人工进行打标，降低了工作强度，在打标过程中打标机构不停机，提高了打标的效率。

一种框架的锡膏均匀印刷组件

专利类型：发明专利法律状态：

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一种框架的锡膏均匀印刷组件。提供了一种结构简单，提高工作效率，确保锡膏量均匀、一致的框架的锡膏均匀印刷组件。包括框架和印刷板，所述框架中间具有矩形孔，所述矩形孔的一侧均布设有若干水平支撑板一，所述支撑板一上设有锡膏槽一，所述印刷板的一侧设有若干与所述锡膏槽一一一对应的锡膏孔一；所述矩形孔的另一侧均布设有若干锡膏槽二，所述印刷板的另一侧均布设有与所述锡膏槽二一一对应的锡膏孔二，所述矩形孔的另一侧与所述印刷板的另一侧通过段差结构对应连接。本发明提高了锡膏的装填效率，锡膏一次性印刷，定位更加精确，同时确保了锡膏的均匀性和一致性。

一种用于轨道涂胶机背面清洗的自动化喷头组件

专利类型：实用新型法律状态：

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一种用于轨道涂胶机背面清洗的自动化喷头组件。涉及半导体制造设备领域，尤其涉及其中清洗喷头的改进。提出了一种结构精巧、使用方面、稳定性高且可对晶片背面的边缘以及侧面进行高效清洗的用于轨道涂胶机背面清洗的自动化喷头组件。设在轨道涂胶机的下方，所述自动化喷头组件包括固定座、内驱动环、外驱动环、喷头座和喷头，喷头座竖直设置、且铰接在固定座中，喷头固定连接在喷头座的顶端、且与喷头的轴心呈20‑80°夹角；本实用新型在不提高设备成本前提的情况下，有效杜绝了晶片背面的边缘以及侧面有光刻胶残留的问题，从源头上避免了产品的污染，保证了产品的品质，从整体上具有设备成本低、清洗效果好以及使用便利等优点。

切脚材料的加工装置

专利类型：实用新型法律状态：

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切脚材料的加工装置。涉及芯片加工装置。提供了一种能够在一个工位上完成检测，对芯片性能影响小且效率高人工成本低的切脚材料的加工装置。装置设于机架上，包括上料装置、检测装置和分拣装置，上料装置设于机架的首端，上料装置、检测装置和分拣装置通过轨道连通，检测装置、分拣装置依次排列在机架上，机架的尾端设有正品托盘，机架的下方设有次品托盘；切脚装置包括设于轨道一侧的刀组和支撑架，支撑架上设有滑轨，刀组由设于滑轨上的轨道电机驱动，机架上与所述刀组对应的位置设有刀槽。本实用新型有在一个工位上完成测试打标切脚的工序，且对芯片外观影响小，不需要人工频繁参与，劳动强度低的优点。

一种贴片二极管的折弯机构及其工作方法

专利类型：发明专利法律状态：

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一种贴片二极管的折弯机构及其工作方法。涉及折弯模具领域。提出了一种结构精巧、使用方便、自动化程度高且加工精度高，并在使用过程中可在保持高效加工的同时，有效避免对引脚表面造成损伤的贴片二极管的折弯机构及其工作方法。所述上模组件包括上模板、上模板驱动组件、一对上模和一对上模驱动组件，所述上模板套接所述导柱，所述上模的顶端伸出至所述上模板的上方，所述上模驱动组件固定连接在上模板的顶面上、且用于驱动所述上模做直线往复运动；所述上模的底端铰接有压轮。本发明从整体上具有使用方便、自动化程度高、加工精度高、加工效率高且废品率低的特点。

双向吹气装置

专利类型：实用新型法律状态：

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双向吹气装置。涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种减少芯片压伤的双向吹气装置。提供了一种结构紧凑、芯片吸取稳定，芯片表面硅渣清理效率和效果高的一种双向吹气装置。包括底座、管体和一对调节机构；所述管体为顶部封闭的空心管体，并竖向设置在所述底座的顶面；所述底座的顶面上设有进气口，所述进气口与所述管体的内腔相通；一对所述调节机构分别连接在靠近所述管体的顶面的位置，所述调节机构的尾部设有固定连接的吹气嘴。本实用新型具有结构紧凑、芯片吸取稳定，芯片表面硅渣清理效率和效果高等特点。

用于贴片二极管组焊的一体化生产设备

专利类型：实用新型法律状态：

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用于贴片二极管组焊的一体化生产设备。涉及半导体加工设备领域。提出了一种结构精巧、使用方便且稳定性好，使用后可有效代替人工进行自动化、连续化的生产加工的用于贴片二极管组焊的一体化生产设备。所述贴片二极管包括框架、芯片和跳线，所述芯片底面通过芯片助焊膏、下焊片和下助焊膏焊接在框架上，所述跳线的一端的底面通过上焊片和上助焊膏焊接在芯片的顶面上、且所述跳线的另一端的底面通过跳线助焊膏焊接在框架上；本实用新型从整体上具有结构精巧、使用方便、稳定性好、自动化程度高且连续加工效果好的优点。

炉管清洗机酸液回收循环装置

专利类型：实用新型法律状态：

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炉管清洗机酸液回收循环装置。涉及清洗机领域，尤其涉及炉管清洗机酸液回收循环装置。提供了一种结构简单，可节能降本的炉管清洗机酸液回收循环装置。所述炉管清洗机上设有排放口，所述回收循环装置包括酸槽和连接在酸槽上的泵体，所述泵体与所述炉管清洗机内的喷头相连；所述排放口上设有控制阀，所述控制阀包括第一常开气动阀和第一常闭气动阀，所述第一常开气动阀与所述排放口的一端相连；所述第一常闭气动阀与所述排放口的另一端相连，并通过连接管与所述酸槽相通。本实用新型具有结构简单，减少酸液的用量，具有节能环保的功效。

开槽器

专利类型：实用新型法律状态：

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开槽器。涉及半导体组装焊接器械领域，具体涉及一种开槽器。工作效果好、开槽深度可控且可有效保护PAD面。包括一对夹块、一对支撑杆、支架和开槽组件，一对所述夹块设于框架两侧、用于夹住框架，所述支架通过一对所述支撑杆连接于一对所述夹块上方，所述开槽组件滑动设于所述支架上；所述开槽组件包括驱动杆、驱动轮、转轴、连接杆和刀片，所述刀片为半圆环形，所述驱动杆滑动连接在支架下方，所述连接杆连接刀片的两端，所述连接杆通过转轴可转动连接在驱动杆的侧面，所述转轴的轴心为刀片的圆心，所述驱动轮连接在驱动杆的下方，所述驱动轮与刀片的内侧面相贴合。整体上具有工作效果好、开槽深度可控且可有效保护PAD面的优点。

模块外壳封装的工装

专利类型：实用新型法律状态：

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模块外壳封装的工装。涉及小型模块的封装工具，尤其涉及一种模块外壳封装的工装。提供了一种加工效率高、密封效果好、不影响功率模块性能的模块外壳封装的工装。设于机架上，包括工作台和置于所述工作台正上方的上模板，所述上模板由直线驱动机构驱动，所述工作台上设有若干定位槽，所述工作台内部设有空腔，所述空腔内设有加热装置；所述上模板上设有若干夹钳，所述夹钳用于固定模块外壳的底板。本实用新型密封效果好，密封过程中不使用胶合，不会产生漏胶的状况，外观整洁美观。由于密封效果好，在实际使用时给功率模块提供了一个相对稳定的工作环境，不会影响功率模块的性能。

贴片式TO封装框架

专利类型：实用新型法律状态：

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贴片式TO封装框架。涉及半导体封装领域，具体涉及一种贴片式TO封装框架。提供了一种通过将横筋上移从而达到有效去除残胶目的的贴片式TO封装框架。从上到下依次包括散热片、芯片载体和若干引脚，所述散热片上设有固定孔，若干所述引脚通过横筋连接，所述横筋与芯片载体的最近垂直距离为3.80‑3.95mm。所述横筋的顶面设有与引脚平行的凹槽。所述凹槽的截面为等腰梯形。所述横筋的外表面上设有向横筋两侧倾斜并伸出横筋顶面的刮片，所述刮片的顶部与临近的引脚的侧边平齐。本实用新型不会破坏框架的机械强度，也因此不会对后续的生产和加工过程产生不良的影响。

晶片舟排片保护装置

专利类型：实用新型法律状态：

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晶片舟排片保护装置；提供了一种结构紧凑、通用性高、防止晶片排片时破损的晶片舟排片保护装置。包括本体和缓冲层，所述本体为工字型，所述缓冲层设置在所述本体的顶部，所述本体的顶部设有容置槽。实用新型通过本体上设置的容置槽放置晶片舟，容置槽的两端设置的宽度根据晶片舟底部适配；利用缓冲层，防止晶片舟移动，达到保护晶片的效果，提升产品产出率，减少经济损失；本案缓冲层采用硅胶层或乳胶层。本实用新型具有结构紧凑、通用性高、防止晶片排片时破损等特点。

晶片排片舟

专利类型：实用新型法律状态：

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晶片排片舟。涉及晶片加工装置，尤其涉及对晶片排片舟的改进。能够适应多种规格晶片、结构简单且使用方便。包括一对支架，一对所述支架之间设有相同的两对固定装置，所述固定装置之间相互平行，所述固定装置上均布若干晶片托，若干所述晶片托通过伸缩机构设于所述固定装置上；所述伸缩机构包括上齿柱、下齿柱和弹簧，所述上齿柱和下齿柱设于外壳内，所述外壳的侧壁上设有导向槽，所述外壳的下部边缘上均布斜齿；所述上齿柱的底端设有上齿，所述下齿柱的上端设有与上齿不完全啮合的下齿，所述下齿柱中空，所述下齿柱中空的部分设有弹簧，所述下齿柱的侧壁上设有与所述导向槽相适配的导向条。适应多种规格晶片、结构简单且使用方便。

晶舟的组合挡片

专利类型：实用新型法律状态：

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晶舟的组合挡片；提供了一种结构紧凑，安装便捷，稳定性高的晶舟的组合挡片。所述组合挡片由若干平行设置的挡片连接而成；所述组合挡片的外缘设有若干支架；所述支架上分别设有第一弧面和第二弧面，所述第一弧面与所述组合挡片的边缘适配，所述第二弧面与晶舟的对应连接面相适配。组合挡片通过支架设置在晶舟的支架上；挡片与挡片之间可通过可拆卸连接的方式组合，便于后期调整变换，提高利用率；第一弧面与第二弧面的设置可提高支架与晶舟直接连接的可靠性和稳定性。第三弧面与第二弧面的设置提高组合挡片的装配便捷性，可实现多角度、多方向安装。本实用新型具有结构紧凑，安装便捷，稳定性高等特点。

半导体加热炉

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

半导体加热炉；提供了一种结构紧凑合理，保温效果稳定的炉管保温装置。包括分别为筒状结构的炉管和炉膛，所述炉管的两端分别从炉膛的内腔伸出，所述炉管的外壁设有石棉层，所述炉膛的两侧壁分别设有保温装置，所述保温装置套设在所述石棉层的外侧。本实用新型通过保温装置实现炉膛的侧边与炉管表面石棉层之间的保温，提高炉温的稳定性，放置炉管与炉膛之间空气流动导致炉温产生较大波动，造成产品品质的下降；保温装置优先选用法兰与保温层的装配方式，确保炉温的稳定性，利用弹性挡圈进一步夯实炉膛与石棉层之间的缝隙。本实用新型具有结构紧凑，保温效果稳定等特点。

半导体结温测试装置

专利类型：实用新型法律状态：

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半导体结温测试装置。涉及电子器件测试领域，尤其涉及半导体结温测试装置。提供了一种能够直接测得半导体结温，测得结温误差小，能真实反映半导体二极管的真实性能的半导体结温测试装置及其测试方法。包括二极管安置位和恒流源，所述二极管安置位连接恒流源，还包括半导体特性测试仪，所述半导体特性测试仪并联于二极管安置位的两端，所述二极管安置位上设有二极管。所述二极管安置位包括绝缘的基座，在所述基座上设有一对卡位，二极管的接线端卡合在所述卡位上；本实用新型具有能够直接测得半导体结温，测得结温误差小，能真实反映半导体二极管的真实性能的优点。

芯片势垒前的清洗装置

专利类型：实用新型法律状态：

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芯片势垒前的清洗装置。涉及集成电路制造领域，尤其涉及芯片势垒前的清洗装置。提供了一种方便加工，有效去除水分，提高产品质量的芯片势垒前的清洗装置。包括箱体，所述箱体的中间设有通过驱动器驱动的支撑台，所述支撑台上设有若干框架，若干框架呈环形均布设置，所述框架用于放置若干晶圆，所述箱体的顶口铰接设有箱盖，所述箱盖的中心设有喷管，所述喷管位于箱盖的上部连通管道一和管道二、位于箱盖的下部设有若干喷口。本实用新型操作可靠，保证了产品的质量。

全自动晶粒挑选机

专利类型：实用新型法律状态：

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全自动晶粒挑选机，包括机架、传送机构和筛选机构，所述传送机构和筛选机构分别设置在所述机架上，所述筛选机构设置在所述传送机构的顶部，与所述传送机构的传送方向相垂直；所述传送机构包括第一驱动机构、传送带和若干惰轮；本实用新型通过筛选机构实现晶圆上带有墨点晶粒的挑选；当带墨点的晶圆移动至与电磁板中心线重合的位置时，第二驱动机构启动，将电磁板移动至带墨点的晶圆的正上方，电磁板通电，产生磁场，将混有磁粉墨点的晶圆从晶圆上吸取下来，使其脱离晶圆。丝杆电机反转，将电磁板从晶圆的正上方移开，回到起始点，此时，电磁板断电，吸取的带磁粉墨点的晶粒从电磁板上脱落。本实用新型具有结构紧凑、提高不良晶粒挑选效率等特点。

贴片二极管的波形测试治具

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

贴片二极管的波形测试治具。涉及半导体领域，具体涉及一种贴片二极管的波形测试治具。提供了一种方便快捷的贴片二极管的波形测试治具。所述贴片二极管从上到下依次包括正极、本体和负极，所述贴片二极管测试前并列在料管中，所述贴片二极管的波形测试治具包括长条型的底盘和与底盘适配的盖板，所述底盘上设有与贴片二极管适配的阶梯型的凹槽，所述本体适配在凹槽的底部，所述正极和负极分别搭在凹槽的台阶上；所述盖板上设有两条开口，所述底盘和盖板合起时两条开口分别处于凹槽的台阶的正上方。本实用新型方便快捷，适用性高。

显影机的喷液装置

专利类型：实用新型法律状态：

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显影机喷液装置。涉及显影机，尤其涉及显影机喷液装置。提供了一种结构紧凑、安装方便、避免余滴的显影机喷液装置。包括喷管和支撑架，还包括换向阀，所述换向阀包括进液口、第一出液口和第二出液口；所述喷管包括进液管和一端套设在所述支撑架上的出液管；所述出液管的另一端与所述第一出液口连接，所述第二出液口为真空端，所述进液管与所述进液口连接。本实用新型结构紧凑合理，安装方便，解决了显影机喷液后滴液的问题。

探针台的载物台

专利类型：实用新型法律状态：

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探针台的载物台。涉及半导体测试领域，具体涉及一种晶片测试探针台的载物台。提供了一种避免晶片划伤的探针台的载物台，以提高晶片良品率。包括底座和位于底座上的本体，所述本体上设有若干真空孔和吸杆孔，所述本体上设有导电金属软膜，所述金属软膜上设有若干分别与真空孔和吸杆孔适配的通孔一和通孔二。所述通孔二的边缘向吸杆孔内凸起。所述凸起吸杆孔贴合并固定。本实用新型避免直接与金属硬盘接触，导致晶片背面出现印纹和划痕，同时还能避免晶片暗裂纹，消除预想不到的产品隐患，提高产品外观良率，提高产品性能和品质；导电金属软膜的通孔向下设凸起，凸起卡在真空孔和吸杆孔内，避免软膜窜动。

蒸发台行星架

专利类型：实用新型法律状态：

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蒸发台行星架。涉及晶圆加工领域，具体涉及一种蒸发台行星架。提供了一种有效抑制金属蒸发到晶圆背面、提高产品品质的蒸发台行星架。包括伞面状的行星架本体，所述行星架本体上设有若干底部中通的晶圆容置槽和可适配在容置槽上的盖板，所述容置槽内设有与晶圆的边缘适配的平边，使晶圆放在容置槽中时与容置槽之间无空隙；在行星架本体上设有盖板的固定装置。本实用新型通过简单的措施有效解决了溢蒸的问题，具有良好的实用性。

一种用于贴片二极管组焊的一体化生产设备

专利类型：发明专利法律状态：

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一种用于贴片二极管组焊的一体化生产设备。涉及半导体加工设备领域。提出了一种结构精巧、使用方便且稳定性好，使用后可有效代替人工进行自动化、连续化的生产加工的用于贴片二极管组焊的一体化生产设备。所述贴片二极管包括框架、芯片和跳线，所述芯片底面通过芯片助焊膏、下焊片和下助焊膏焊接在框架上，所述跳线的一端的底面通过上焊片和上助焊膏焊接在芯片的顶面上、且所述跳线的另一端的底面通过跳线助焊膏焊接在框架上；本发明从整体上具有结构精巧、使用方便、稳定性好、自动化程度高且连续加工效果好的优点。

一种共晶焊接工艺及用于实现该工艺中冷却工艺的冷却箱

专利类型：发明专利法律状态：

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一种共晶焊接工艺及用于实现该工艺中冷却工艺的冷却箱。涉及芯片加工工艺领域。提出了一种稳定性好、逻辑清晰且加工效率高，使用后了有效避免出现“飞芯”问题，从而大幅降低废品率、提升产品品质的共晶焊接工艺。用于将芯片焊接在框架上，芯片和框架均在轨道单向行走，共晶焊接工艺包括预热工艺、升温工艺、回流工艺和冷却工艺，轨道分为预热段、升温段、回流段和冷却段，冷却工艺为使框架和芯片在冷却段上匀速行走，冷却段沿物料行走方向平均分为冷却段一、冷却段二、冷却段三和冷却段四，冷却段一、冷却段二、冷却段三下方通入温度依次递减的冷却气体，冷却段四处在室温环境中。本发明大幅降低废品率、提升产品品质。

一种多晶硅回刻方法

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一种多晶硅回刻方法，涉及晶片生产技术领域，尤其涉及一种多晶硅的回刻方法。提供了一种在回刻过程中速率均匀、多晶硅中间和边缘距离小、多晶残留少的多晶硅回刻方法。包括如下步骤：1）在硅本体表面生长氧化层，在氧化层表面生长多晶硅层；2）多晶硅层表面生长自然氧化层；3）回刻自然氧化层，采用cf4回刻氧化层；4）回刻多晶硅层；5）回刻硅本体上沟槽内的多晶硅层，完毕。本发明保持了在整个回刻过程中的回刻速率相对均匀，避免在回刻时对硅本体的损伤，同时能够有效减少多晶硅的残留，产品废品率低。

一种框架、包含该框架的二极管模块及二极管模块的加工工艺

专利类型：发明专利法律状态：

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一种框架、包含该框架的二极管模块及二极管模块的加工工艺。涉及其中针对二极管模块及其内部结构、加工工艺提出的改进。结构精巧、使用效果好且使用寿命长，使用时可有效避免局部过热、散热不均匀等问题。包括n个依次相邻的本体，相邻所述本体之间留有间隙，通过n个本体串接n‑1个芯片，所述芯片的正极和负极分别连接在相邻的两本体上，首位所述本体与芯片的正极连接，末位所述本体与芯片的负极连接，末位本体的中部开设有凹槽，使得倒数第二位本体伸入凹槽中、且末位芯片的正极位于凹槽内。本发明工作时可进行均匀散热，提升了框架的散热效果并延长了使用寿命，使得二极管模块整体的电性能以及使用稳定性得到了大幅提升。

一种全自动晶粒挑选机及其工作方法

专利类型：发明专利法律状态：

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一种全自动晶粒挑选机，包括机架、传送机构和筛选机构，所述传送机构和筛选机构分别设置在所述机架上，所述筛选机构设置在所述传送机构的顶部，与所述传送机构的传送方向相垂直；所述传送机构包括第一驱动机构、传送带和若干惰轮；本发明通过筛选机构实现晶圆上带有墨点晶粒的挑选；当带墨点的晶圆移动至与电磁板中心线重合的位置时，第二驱动机构启动，将电磁板移动至带墨点的晶圆的正上方，电磁板通电，产生磁场，将混有磁粉墨点的晶圆从晶圆上吸取下来，使其脱离晶圆。丝杆电机反转，将电磁板从晶圆的正上方移开，回到起始点，此时，电磁板断电，吸取的带磁粉墨点的晶粒从电磁板上脱落。本发明具有结构紧凑、提高不良晶粒挑选效率等特点。

一种半导体塑封料自动上料装置及其工作方法

专利类型：发明专利法律状态：

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一种半导体塑封料自动上料装置及其工作方法。提供了一种工作效率高，并降低人力成本的半导体塑封料自动上料装置及其工作方法。包括振荡上料机构和上料模具，所述振荡上料机构从上到下依次包括振荡筛、漏斗型振荡孔以及上料管，所述上料管中设有若干水平挡板开关，所述振荡筛的筛孔的孔径大于塑封料的直径，所述漏斗型振荡孔的上孔径大于筛孔的孔径，下孔径大于一个塑封料的直径并小于两个塑封料的直径；所述上料模具上表面设有若干与上料管底部对应的凹槽。本发明结构简单，人只需将料倒在振动筛上即可，大大降低了劳动强度和人力成本，实现自动上料，提高工作效率。

一种激光打标系统及其工作方法

专利类型：发明专利法律状态：

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一种激光打标系统及其工作方法。涉及芯片的打标工艺，打标时不需要切断工艺连接条，打标效率高且人工工作强度低。包括一对机架，一对机架之间设有一对旋向相反的传送带，一对传送带分别由不同的步进电机带动，一对传送带之间放置芯片，芯片有传送带带动，一对所述机架之间顺次设有检测机构、分拣机构和打标机构，芯片通过传送带传送依次经过检测机构、分拣机构和激光打标机构，步进电机、检测机构、分拣机构和激光打标机构分别连接控制器。检测到不良品时，打标器在不良品上印记，不良品能够被分拣出来。气动剪刀将不良品芯片的引脚部分剪断。不需要人工进行打标，降低了工作强度，在打标过程中打标机构不停机，提高了打标的效率。

一种用于干法刻蚀硅槽的方法

专利类型：发明专利法律状态：

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一种用于干法刻蚀硅槽的方法。涉及半导体制造技术领域。提出了一种操作简单、加工步骤清晰有序、无需二次清洁且加工后无“硅草”产生的用于干法刻蚀硅槽的方法。按以下步骤进行操作：1）、布放光刻胶：按预设图案的位置布放光刻胶；2）、制备掩膜层：通过Ar、CHF3、CF4在氧化硅上刻蚀出若干沟槽，形成掩膜层；3）、刻蚀硅槽：通过Cl2、SF6、Ar在高频电场的作用下对硅进行物理性刻蚀；完毕。本发明从整体上具有操作简单、加工步骤清晰有序、无需二次清洁以及产品品质高、产品质量好的特点。

一种晶片上沟槽的刻蚀方法

专利类型：发明专利法律状态：

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一种晶片上沟槽的刻蚀方法。涉及晶片加工工艺，尤其涉及一种晶片上沟槽的刻蚀方法。提供了一种沟槽底面圆滑、生长的氧化层均匀且刻蚀过程中腔体洁净、使用周期长的一种晶片上沟槽的刻蚀方法。包括如下步骤：1）在硅本体表面沉积硬质掩膜层；2）对所述的硬质掩模进行光罩，把不需要刻蚀的地方用保护层做阻挡；3）在没有保护层的区域进行刻蚀，直到露出硅本体表面；4）去除硅本体表面的光罩，并进行清洗，得到干净的表面；5）以硬质掩膜层做阻挡层，对硅本体进行刻蚀，得到所需要深沟槽。本发明保证了刻蚀用腔体干净整洁，使用周期长，能够加快刻蚀效率，可防止沉积物沉积到腔体和沟槽内影响性能。

一种焊接空洞抑制装置及其工作方法

专利类型：发明专利法律状态：

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一种焊接空洞抑制装置及其工作方法。涉及一种晶片加工领域，尤其涉及一种抑制晶片加工过程中焊接空洞的装置及其工作方法。提供了一种结构简单、成本低、操作步骤简单且焊接空洞抑制效果好的焊接空洞抑制装置及其工作方法。所述防护仓中心设有可供步进电机的轴穿过的圆孔，所述步进电机的轴穿过圆孔并固定于防护仓的下表面上；四个所述烘干仓内分别设有电热装置，用于加热烘干仓，每个所述烘干仓分别通过旋转轴与所述步进电机的轴连接，所述旋转轴焊接在所述烘干仓的底部。本发明具有结构简单，便于生产且安全性能高，成本低、操作步骤简单且焊接空洞抑制效果好的优点。

晶片电性能测试装置

专利类型：实用新型法律状态：

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晶片电性能测试装置。涉及晶片制造领域，尤其涉及对晶片电性能测试装置的改进。快速获知晶片测试结果且能有效缓解工作人员疲劳、测试效率高、单个晶片测试时间短。包括测试仪和测试笔，测试仪和测试笔之间通过信号线或无线传输连接，所述测试笔上设有开始按钮、通路指示灯和合格指示灯，所述开始按钮、通路指示灯和合格指示灯串联连接后连接5V电源；所述开始按钮与所述通路指示灯之间设有门极可关断晶闸管，所述门极可关断晶闸管的门极连接一台脉冲发生器，所述门极可关断晶闸管的阳极连接开始按钮，所述门极可关断晶闸管的阴极连接通路指示灯。从整体上具有能快速获知晶片测试结果且能有效缓解工作人员疲劳、测试效率高、单个晶片测试时间短的优点。

光罩

专利类型：实用新型法律状态：

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光罩。涉及半导体领域，具体涉及一种晶片生产中使用的光罩。该光罩可防止光刻胶内缩堆积、影响晶片的外观，其包括基板和设在基板上的、由光阻层构成的图案，所述基板上、所述图案的周围设有一条闭环的蚀刻槽。所述蚀刻槽的截面为U型。所述蚀刻槽内设有圆环型的弹性挡板和弹性密封膜，所述弹性挡板通过若干与蚀刻槽的槽底平行的连接杆连接在蚀刻槽的外侧壁上，所述连接杆伸出基板；通过在光罩板外圈增加一条蚀刻槽，使光阻胶涂布晶片在旋转停止时蚀刻槽有一定距离缓冲，最终使到晶粒台面的光阻胶积累量变少，达到晶片台面光阻胶减薄的目的，改善晶片了外观，节省了人工工时，提升了产出率。

一种芯片势垒前的清洗装置及清洗工艺

专利类型：发明专利法律状态：

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一种芯片势垒前的清洗装置及清洗工艺。涉及集成电路制造领域，尤其涉及芯片势垒前的清洗工艺。提供了一种方便加工，有效去除水分，提高产品质量的芯片势垒前的清洗装置及清洗工艺。包括箱体，所述箱体的中间设有通过驱动器驱动的支撑台，所述支撑台上设有若干框架，若干框架呈环形均布设置，所述框架用于放置若干晶圆，所述箱体的顶口铰接设有箱盖，所述箱盖的中心设有喷管，所述喷管位于箱盖的上部连通管道一和管道二、位于箱盖的下部设有若干喷口。本发明操作可靠，保证了产品的质量。

一种用于框架的锡膏印刷组件

专利类型：发明专利法律状态：

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一种用于框架的锡膏印刷组件。提供了一种结构简单，提高工作效率，确保锡膏量均匀、一致的用于框架的锡膏印刷组件。包括框架和印刷板，所述框架中间具有矩形孔，所述矩形孔的一侧均布设有若干水平支撑板一，所述支撑板一上设有锡膏槽一，所述印刷板的一侧设有若干与所述锡膏槽一一一对应的锡膏孔一；所述矩形孔的另一侧均布设有若干锡膏槽二，所述印刷板的另一侧均布设有与所述锡膏槽二一一对应的锡膏孔二，所述矩形孔的另一侧与所述印刷板的另一侧通过段差结构对应连接。本发明提高了锡膏的装填效率，锡膏一次性印刷，定位更加精确，同时确保了锡膏的均匀性和一致性。

组合压块

专利类型：实用新型法律状态：

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组合压块。涉及半导体加工领域，具体涉及晶片加工过程中使用的压块。包括压块一和设在压块一上的压块二，所述压块一的直径大于压块二的直径，所述压块一和压块二的中心位于同一轴线上。所述压块一上设有容置压块二的凹槽一，所述压块二通过驱动机构可伸缩连接在压块一上，所述驱动机构包括：与压块二垂直连接的齿条一、与齿条一啮合的齿轮一、固定于齿轮一轴心处的调节杆一，所述齿轮一的轴心与所述轴线垂直，所述调节杆一伸出压块一。本实用新型结构简单，提高了压块的使用率，保证了生产线操作的灵活性，从而提高生产效率。

简易散热装置

专利类型：实用新型法律状态：

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简易散热装置；提供了一种结构紧凑、节能环保、散热效率高的简易散热装置。包括空心的本体；所述本体的一端设有进气口，所述本体的另一端设有出气口；所述本体的内腔设有若干可拆卸的工件安置位。本实用新型通过进气口的压缩空气，达到快速降低热源温度的效果；利用温度检测对工作的温度进行监测，通过监测的信息，调节、控制气体的流量和气体的温度，确保稳定的降温的效果；确保生产设备及系统稳定性，提升产品品质，避免不必要的返，增加生产加工成本的投入。本实用新型具有结构紧凑、节能环保、散热效率高的特点。

泡片架

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泡片架。涉及电路板加工领域，其是一种提高生产效率和降低生产成本的泡片架。包括本体和位于本体上的把手，所述本体为圆环筒状，包括上圈梁一、上圈梁二、若干连接上圈梁一和上圈梁二的上横梁、与上圈梁一形状尺寸一致的下圈梁一、与上圈梁二形状尺寸一致的下圈梁二、若干与上横梁对应的下横梁、连接上圈连二和下圈梁二的内纵梁、以及连接上圈梁一和下圈梁一的外纵梁，所述上圈梁一的直径大于上圈梁二，若干上横梁将上圈梁一和上圈梁二之间均分为若干上置片口。本实用新型的有益效果是在使用圆形的泡片架时相同尺寸空间内，能够容纳更多的待泡片。泡片架内径可调，可适用于不同尺寸的待泡片。

可控测试笔

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可控测试笔；提供了一种结构简单，方便操作，节约物料的可控测试笔。包括笔体，所述笔体内设有导线，所述笔体上可拆卸连接设有防火油瓶，所述防火油瓶包括瓶体和导管，本实用新型在测试笔上镶嵌可控防火油瓶，操作人员可通过挤压使防火油沿测试笔尖流到测试晶粒表面，避免了将防火油喷到整个晶面，造成的物料浪费，同时避免在测试中途停下去喷涂防火油导致测试效率降低，操作更加便捷，同时节约物料。本实用新型提高了生产效率，操作可靠。

一种切脚材料的加工装置及加工方法

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一种切脚材料的加工装置及加工方法。涉及芯片加工装置。提供了一种能够在一个工位上完成检测和切脚工艺、对芯片性能影响小且效率高人工成本低的切脚材料的加工装置及加工方法。装置设于机架上，包括上料装置、检测装置和分拣装置，上料装置设于机架的首端，上料装置、检测装置和分拣装置通过轨道连通，检测装置、分拣装置依次排列在机架上，机架的尾端设有正品托盘，机架的下方设有次品托盘；切脚装置包括设于轨道一侧的刀组和支撑架，支撑架上设有滑轨，刀组由设于滑轨上的轨道电机驱动，机架上与所述刀组对应的位置设有刀槽。本发明能够在一个工位上完成测试打标切脚的工序，且对芯片外观影响小，不需要人工频繁参与，劳动强度低的优点。

一种基于佳能曝光机和Perkin‑elmer曝光机的硅晶片光刻曝光方法

专利类型：发明专利法律状态：

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一种基于佳能曝光机和Perkin‑elmer曝光机的硅晶片光刻曝光方法。涉及半导体制造技术领域。提出了一种操作简单、设备成本低的一种基于佳能曝光机和Perkin‑elmer曝光机的硅晶片光刻曝光方法。按以下步骤进行操作：1）完成第一次晶片上生长层的生长，并判断该生长层是SiO2还是金属，若是SiO2则进入步骤2）若是金属则进入步骤3）；2）佳能曝光3）PE曝光；4）判断是否完成所有生长层的生长，是则结束，否则进入步骤5）；5）生长：完成一次生长层的生长；并判断该生长层是SiO2还是金属，若是SiO2则进入步骤6）若是金属则进入步骤7）；6）佳能对位曝光7）PE曝光。本发明具有产品品质高等优点。

引脚加工工装

专利类型：实用新型法律状态：

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引脚加工工装。提供了一种可调节的引脚加工工装，一个工装解决不同长度的裁切和折弯需求，节约生产成本。包括工作台、上刀块、下刀块和设在下刀块上方的压板，所述工作台上设有滑轨，所述上刀块和下刀块通过支撑座设在滑轨中，所述上刀块通过气缸作上、下运动；所述压板的底面设有与滑轨垂直的U型槽。本实用新型由压板和下刀块卡住元器件的本体，元器件待处理的引脚伸出，由上刀块对其进行裁切和折弯；压板固定在工作台上，上刀块和下刀块可移动，从而调节裁切和折弯的长度；上刀块为阶梯型，高阶面实现裁切，低阶面实现折弯。本实用新型结构简单，一套工装解决不同长度的引脚的裁切和折弯，降低了生产成本，避免了资源浪费。

半导体封装跳线

专利类型：实用新型法律状态：

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半导体封装跳线。提供了一种聚锡不会爬升、有效保护芯片的半导体封装跳线。包括一体的焊接端一、主体和焊接端二，所述焊接端一与芯片焊接，所述焊接端二与底板焊接，所述焊接端一朝向焊接端二的内侧设有若干横向的楔形槽。本实用新型在焊接端一的内侧设横向的楔形槽，当焊锡量偏大时，多余的焊锡将聚集在楔形槽中，而不会向上爬升，此外，增加焊接端一的折弯高度，避免焊锡在折弯处聚集，不会对芯片产生应力，并且使焊锡与芯片接触面变大，在有效保护了芯片的同时提升了产品耐电流能力。

贴片封装半导体的框架

专利类型：实用新型法律状态：

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贴片封装半导体的框架。提供了一种使引脚不易从封装体上剥离、可靠性高的贴片封装半导体的框架。贴片封装半导体包括框架和封装体，所述框架包括芯片载体和与芯片载体连接的引脚本体，所述芯片载体设于所述封装体内，所述引脚本体伸出所述封装体，所述引脚本体的两侧分别设有一个折弯凸起，封装后所述折弯凸起位于封装体内。本实用新型在半包的引脚两侧，增加折弯凸起设计，增强引脚与塑封体之间的结合力，避免在后续的切筋、测试、使用过程中，引脚发生剥离或机械应力的内延伸。在折弯凸起内侧设凸起或凹槽，使封装体与折弯凸起的接触更加紧实。

芯片分向筛盘

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芯片分向筛盘。提供了一种易于芯片分向、保证芯片方向正确的芯片分向筛盘。所述芯片的顶面的面积小于芯片底面的面积，所述芯片分向筛盘包括筛盘本体，所述筛盘本体的顶面设有若干芯片分向槽，所述芯片分向槽的底部与芯片底面适配，所述芯片分向槽的槽壁为斜坡。本实用新型将芯片分向槽的槽壁设为斜坡，避免芯片横在台阶上，造成芯片受损；在芯片分向槽底部的对角上设压力传感器，当芯片正面朝下时，最多只能碰到通孔上方和其中一个对角上的压力传感器，此时，启动吹气机构，芯片受到周围芯片的碰撞和吹气机构共同的作用，被撞出芯片分向槽；当三个压力传感器同时接收到压力信号或者都没有接收到信号，吹气机构不工作。本实用新型能够将芯片彻底分向，提高了准确率，从而保护了芯片不受后续工序的损坏。

分体式模组的储锡定位盘

专利类型：实用新型法律状态：

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分体式模组的储锡定位盘。提供了一种可同时容纳多种不同外形组件的储锡定位盘。所述储锡定位盘包括定位盘本体和与定位盘本体适配的盘盖本体，所述定位盘本体上设有容置槽，所述容置槽中设有若干紧贴、矩阵排列的放置单个组件的定位区块，所述定位区块包括呈十字型排列的定位块一、定位块二、定位块三和定位块四，所述定位块一位于十字型的上端，用于隔开单个组件的两个片状引脚，所述定位块二和定位块三位于十字型的左、右两端，所述定位块四位于十字型的下端；本实用新型可同时摆放3种不同外形的组件，只需生产这一种储锡定位盘即可，节约了生产成本。

光伏模块产品的周转淬盘

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光伏模块产品的周转淬盘。提供了一种充分利用空间、有效保护光伏模块产品的周转淬盘。所述光伏模块产品包括产品主体和位于主体两侧的引脚一和引脚二，所述引脚二上设有铜片，所述周转淬盘包括淬盘本体和与之适配的盘盖，所述淬盘本体底部设有若干依次排列、放置光伏模块产品的斜坡一和斜坡二，所述斜坡二上靠近斜坡一的一侧设有容置引脚二和铜片的凹槽，所述光伏模块产品的主体放在斜坡一上，引脚二放在斜坡二中。本实用新型在淬盘本体中设斜坡，将光伏模块产品倾斜摆放，摆放时两个相邻的光伏模块产品部分交叠，最大限度利用淬盘上的空间，在相同的尺寸空间基础上摆放更多的产品。

一种半导体结温测试装置及其测试方法

专利类型：发明专利法律状态：

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一种半导体结温测试装置及其测试方法。涉及电子器件测试领域，尤其涉及一种半导体结温测试装置及其测试方法。提供了一种能够直接测得半导体结温，测得结温误差小，能真实反映半导体二极管的真实性能的半导体结温测试装置及其测试方法。包括二极管安置位和恒流源，所述二极管安置位连接恒流源，还包括半导体特性测试仪，所述半导体特性测试仪并联于二极管安置位的两端，所述二极管安置位上设有二极管。所述二极管安置位包括绝缘的基座，在所述基座上设有一对卡位，二极管的接线端卡合在所述卡位上；本发明具有能够直接测得半导体结温，测得结温误差小，能真实反映半导体二极管的真实性能的优点。

TO封装器件的注塑模具镶条

专利类型：实用新型法律状态：

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TO封装器件的注塑模具镶条。提供了一种兼顾防止注塑过程溢胶与注塑作业的良好操作性的TO封装器件的注塑模具镶条。所述镶条包括平板式的镶条本体，所述镶条本体上均匀设有若干挡板，所述挡板相对镶条本体的高度大于或等于框架的厚度；所述挡板包括挡板本体和设在挡板本体端部的端头，所述端头的宽度大于所述挡板本体的宽度；所述端头的宽度大于或等于TO封装器件的相邻框架间隙的宽度。本实用新型包括镶条本体和设在本体上的挡板，挡板端头的宽度大于所述挡板本体的宽度，所述挡板端头与框架间隙过盈配合，阻止溢胶的发生，挡板除了端头以外的部分不与框架侧边接触，通过减少挡板与框架的接触面积，预防框架与挡板卡料。

TO封装框架

专利类型：实用新型法律状态：

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TO封装框架。提供了一种预防贴片式TO封装器件在塑封开模时产生分层的框架。从上到下依次包括散热片、芯片载体和引脚，所述散热片上设有固定孔，所述散热片上、固定孔的下方设有楔形槽。本实用新型在散热片上设楔形槽，用于降低散热片的抗折弯强度，塑封好后脱模时，散热片楔形槽部分容易变形，降低脱模顶针对散热片与模塑料的接触部位的影响，使其形变减小，二者不会分层，从而保证了产品质量。

元胞版图、元胞结构及碳化硅结势垒肖特基二极管的制作方法

专利类型：发明专利法律状态：

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本发明涉及一种元胞版图、元胞结构及碳化硅结势垒肖特基二极管的制作方法，包括碳化硅衬底、衬底上外延层以及外延层上注入形成的P掺杂区域，所述P掺杂区域为圆形/多边形元胞和条形元胞混合形成。圆形/多边形元胞增加肖特基接触面积占比，提高器件正向电流密度。条形元胞消除拐角处元胞和环形过渡区形成的尖角，提高器件的反向耐压能力，使器件不易烧毁。本发明提高器件安全性能的同时增加器件正向电流密度，节约了成本。

分体式模组

专利类型：外观专利法律状态：

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1．本外观设计产品的名称：分体式模组。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于制作电路。3．本外观设计产品的设计要点：产品形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：组合状态图。5．请求保护的外观设计是成套产品，成套使用。

分体式模组

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

本实用新型公开了一种单独模块可拆卸，维修成本低的分体式模组。包括框架和设于框架之间的若干模块组件，所述框架固定在接线盒内，所述框架之间设有若干导流带，所述模块组件设于所述导流带上；所述模块组件包括三个相互独立的模块，三个所述模块依次排列在导流带上；所述模块包括塑封体和设于所述塑封体内的框架板，所述框架板上设有引脚一、引脚二，所述引脚一、引脚二伸出所述塑封体，所述引脚一和引脚二呈片状。本实用新型利用模块组件与导流带进行焊接，各个构成模块组件的模块相互独立，在单一模块损坏时即更换单一模块，不需要对整个框架进行更换，维修成本低，维修速度快；具有单独模块可拆卸，维修成本低的优点。

测试光伏旁路二极管正反向转换能力的系统

专利类型：实用新型法律状态：

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本实用公开了测试光伏旁路二极管正反向转换能力的系统；包括电源、控制器、测试模块和恒温装置；所述电源包括恒流电源和稳压电源；所述恒流电源的输入端与外部电源连接，所述恒流电源的输出端与所述控制器第一输入端连接，所述控制器的第一输出端与所述测试模块相连；所述稳压电源的输入端与外部电源连接，所述稳压电源的输出端与所述控制器第二输入端连接，所述控制器的第二输出端与所述测试模块相连；本实用够给二极管提供可调节的正向导通电流和反向偏电压，并提供正向导通转换至反向偏置的转换时间；在正向导通至反向偏置时，本装置具有单次转换或连续多次转换的测试模式，为新能源项目‑光伏发电的稳定可靠运行提供了保障。

二极管模块的框架

专利类型：实用新型法律状态：

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二极管模块的框架，涉及二极管模块领域。公开了一种结构精巧、加工方便、加工成本低且结构稳定、散热性好的二极管模块的框架。包括铝基板、绝缘涂层和n个铜皮，n个所述铜皮贴附在铝基板的一侧表面上，所述绝缘涂层涂覆在铝基板朝向铜皮一侧表面、且包覆所述铜皮，所述绝缘涂层上开设有n个汇流带连接孔、2n‑2个二极管连接孔和一对电缆线连接孔。本实用新型加工时，可先分别对铝基板和铜皮进行切割、打磨，再将铜皮安放在铝基板的表面，最后涂覆绝缘涂层即可，其加工起来极为方便，对加工治具的要求极低，且加工周期极短。本实用新型从整体上具有加工方便、加工成本低且结构稳定、散热性好的特点。

优化表面电场的沟槽式势垒肖特基结构

专利类型：实用新型法律状态：

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本实用新型涉及一种优化表面电场的沟槽式势垒肖特基结构，包括位于半导体基板上的元胞沟槽、有源区和终端耐压环；特征是：在所述沟槽式势垒肖特基结构的截面上，包括N型衬底、N型外延层、位于N型外延层上表面的势垒金属、正面金属和背面金属；所述元胞沟槽包括设置于N型外延层上部的沟槽，在沟槽的内壁和顶部的表面生长一层氧化层，在沟槽内腔中淀积导电多晶硅，在沟槽顶部表面的氧化层上设有多晶硅遮挡层；在所述有源区的垫垒金属下方形成一个P型注入区，该P型注入区位于N型外延层的上部。本实用新型能够优化表面的峰值电场，提高表面势垒金属的抗压能力，减小器件漏电，提高浪涌能力和高温可靠性。

GaN基肖特基二极管结构

专利类型：实用新型法律状态：

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本实用新型涉及一种GaN基肖特基二极管结构，特征是：包括衬底、位于衬底上的GaN层、位于GaN层上的AlGaN层、阴极金属和阳极金属，阴极金属同时与GaN层和AlGaN层欧姆接触，阳极金属设置于AlGaN层上表面，阳极金属与AlGaN层肖特基接触。在所述衬底和GaN层之间设有缓冲层。本实用新型所述GaN基肖特基二极管结构，在衬底基板第一主面设有AlGaN层，在AlGaN层和衬底基板之间设有GaN层；在本体左侧设有欧姆接触电极（Cathode），欧姆接触电极同时与AlGaN和GaN层形成欧姆接触；在本体右侧设有肖特基接触电极（Anode）。如果在肖特基接触电极（Anode）增加一定的电压，在AlGaN层和GaN层的接触表面会形成电子通道。

贴片二极管的折弯装置

专利类型：实用新型法律状态：

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贴片二极管的折弯装置。涉及二极管，尤其涉及贴片二极管的折弯装置。提供了一种结构简单，方便加工，提高产品加工可靠性的贴片二极管的折弯装置。所述上模组件位于下模组件的上方，所述上模组件包括吊架、液压缸和折弯组件，所述折弯组件包括平板和一对平行设置的折弯板，一对折弯板分别位于平板的底面两端，所述平板通过液压缸连接在吊架上；所述引脚的内端设有截面呈三角形的预压槽，所述预压槽位于撑板外侧。所述折弯板通过水平推杆一活动连接在平板上。所述撑板通过水平推杆二活动连接在基座上。本实用新型方便加工，提高了产品质量。

一种框架总成及其加工工艺

专利类型：发明专利法律状态：

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一种框架总成及其加工工艺。涉及二极管模块加工过程中框架的改进。结构精巧、加工方便。包括顶梁、n个框架、n个底梁和n‑1对卸力条。末位本体的中部开设有凹槽，使得倒数第二位本体伸入凹槽中，末位本体背向凹槽的一侧端面上设有与末位本体连为一体翻边；n个所述框架依次设置、且所有引脚均固定连接在顶梁的一侧，所述底梁固定连接在同一框架中的两汇流带焊接脚之间，所述卸力条成对使用、且固定连接在相邻框架的两汇流带焊接脚之间，同一对卸力条相对且对称设置、且均呈弧形。本案从整体上具有加工过程稳定、高效的特点，且在后续加工、装夹、使用时具有较高的结构稳定性。

高密度低压沟槽功率MOS器件

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本实用新型涉及一种高密度低压沟槽功率MOS器件，通过在沟槽上部进行热氧化（厚度在500A‑5000A），形成了沟槽的碗口结构。本实用新型可以极大的降低元胞区最小单元元胞宽度，从而极大的提高了元胞密度（集成度），降低了特征导通电阻；避免现有技术中半导体封装中存在的元胞区最小单元元胞宽度受限于8寸晶圆厂光刻机台的问题。

一种二极管模块的框架及其加工方法

专利类型：发明专利法律状态：

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一种二极管模块的框架及其加工方法，涉及二极管模块领域。公开了一种结构精巧、加工方便、加工成本低且结构稳定、散热性好的二极管模块的框架及其加工方法。包括铝基板、绝缘涂层和n个铜皮，n个所述铜皮贴附在铝基板的一侧表面上，所述绝缘涂层涂覆在铝基板朝向铜皮一侧表面、且包覆所述铜皮，所述绝缘涂层上开设有n个汇流带连接孔、2n‑2个二极管连接孔和一对电缆线连接孔。本发明加工时，可先分别对铝基板和铜皮进行切割、打磨，再将铜皮安放在铝基板的表面，最后涂覆绝缘涂层即可，其加工起来极为方便，对加工治具的要求极低，且加工周期极短。本发明从整体上具有加工方便、加工成本低且结构稳定、散热性好的特点。

助焊烟雾发生器、包含该发生器的焊接生产线及加工工艺

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助焊烟雾发生器、包含该发生器的焊接生产线及加工工艺。提供了一种助焊烟雾发生器、包含该发生器的焊接生产线及加工工艺。助焊烟雾发生器，包括依次连接的气源、液态助焊剂罐、雾化喷头和加热装置，所述加热装置包括壳体和设在壳体内的热源，所述雾化喷头设在所述壳体的上部且出口向内。本发明中气源将液态助焊剂带出液体罐，经雾化喷头后呈雾状喷至加热仓，由加热管加热，使雾状助焊剂变成烟雾状，烟雾流动性大、颗粒小，方便与焊料充分且均匀接触，焊接后在器件表面残留非常少，基本可以忽略不计（≤1‰），免去了传统技术中的后续清洗工序以及清洗过程对产品的二次污染，降低了生产成本，提高了成品率，并且无废液排放，保护了环境。

一种测试光伏旁路二极管正反向转换能力的系统及测试方法

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本发明公开了一种测试光伏旁路二极管正反向转换能力的系统及测试方法；包括电源、控制器、测试模块和恒温装置；所述电源包括恒流电源和稳压电源；所述恒流电源的输入端与外部电源连接，所述恒流电源的输出端与所述控制器第一输入端连接，所述控制器的第一输出端与所述测试模块相连；所述稳压电源的输入端与外部电源连接，所述稳压电源的输出端与所述控制器第二输入端连接，所述控制器的第二输出端与所述测试模块相连；本发明够给二极管提供可调节的正向导通电流和反向偏电压，并提供正向导通转换至反向偏置的转换时间；在正向导通至反向偏置时，本装置具有单次转换或连续多次转换的测试模式，为新能源项目‑光伏发电的稳定可靠运行提供了保障。

高密度低压沟槽功率MOS器件及其制造方法

专利类型：发明专利法律状态：

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本发明涉及一种高密度低压沟槽功率MOS器件及其制造方法，通过在沟槽上部进行热氧化（厚度在500A‑5000A），形成了沟槽的碗口结构，并配合选用高选择比（二氧化硅：硅）的干法普遍刻蚀方法，在不刻蚀二氧化硅的前提下只刻蚀硅，从而实现了沟槽功率MOS器件元胞区域接触孔的刻蚀，也称为接触孔的自对准刻蚀。同时，本发明也实现了在其终端保护区引出孔的刻蚀，并未因此增加明显的工艺步骤。业内众所周知，对于自对准刻蚀，光刻的套准偏差可以认为就是0。这样，在现在8寸晶圆厂光刻机台作业的情况下，可以极大的降低元胞区最小单元元胞宽度，可以从0.9μm降低到0.5μm，从而极大的提高了元胞密度（集成度），降低了整个将的特征导通电阻。

贴片二极管的折弯机构

专利类型：实用新型法律状态：

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贴片二极管的折弯机构。涉及折弯模具领域。提出了一种结构精巧、使用方便、自动化程度高且加工精度高，并在使用过程中可在保持高效加工的同时，有效避免对引脚表面造成损伤的贴片二极管的折弯机构。所述上模组件包括上模板、上模板驱动组件、一对上模和一对上模驱动组件，所述上模板套接所述导柱，所述上模的顶端伸出至所述上模板的上方，所述上模驱动组件固定连接在上模板的顶面上、且用于驱动所述上模做直线往复运动；所述上模的底端铰接有压轮。本实用新型从整体上具有使用方便、自动化程度高、加工精度高、加工效率高且废品率低的特点。

贴面整流桥芯片结构

专利类型：实用新型法律状态：

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贴面整流桥芯片结构。涉及电子技术领域，尤其涉及对芯片化整流桥的改进。提供了一种散热性能好且封装严密的一种贴面整流桥芯片结构。所述框架结构的底面与所述封装体底面平齐，使得框架结构的底面呈裸露状态；所述框架结构的侧边的横截面为阶梯形。所述框架结构的边缘开设若干U形槽。所述U形槽的口小、底大。所述框架结构包括框架一~框架四，裸露于所述封装体底面的框架一~框架四相互之间的最接近距离≥3mm。本实用新型具有散热性能好、封装严密的优点。

GaN基肖特基二极管结构及其制作方法

专利类型：发明专利法律状态：

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本发明涉及一种GaN基肖特基二极管结构及其制作方法，特征是：包括衬底、位于衬底上的GaN层、位于GaN层上的AlGaN层、阴极金属和阳极金属，阴极金属同时与GaN层和AlGaN层欧姆接触，阳极金属设置于AlGaN层上表面，阳极金属与AlGaN层肖特基接触。在所述衬底和GaN层之间设有缓冲层。本发明所述GaN基肖特基二极管结构，在衬底基板第一主面设有AlGaN层，在AlGaN层和衬底基板之间设有GaN层；在本体左侧设有欧姆接触电极（Cathode），欧姆接触电极同时与AlGaN和GaN层形成欧姆接触；在本体右侧设有肖特基接触电极（Anode）。如果在肖特基接触电极（Anode）增加一定的电压，在AlGaN层和GaN层的接触表面会形成电子通道。

一种获得清洁沟槽侧壁的方法

专利类型：发明专利法律状态：

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本发明涉及一种获得清洁沟槽侧壁的方法，包括S1、使用方向性弱的沉积工艺在沟槽表面形成保护层；S2、使用方向性强的刻蚀工艺，去除沟槽顶部和底部上的保护层，沟槽侧壁上仍覆盖有保护层；S3、使用方向性强的沉积工艺在沟槽表面形成金属；以及S4、剥离保护层。

优化表面电场的沟槽式势垒肖特基结构及其制作方法

专利类型：发明专利法律状态：

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本发明涉及一种优化表面电场的沟槽式势垒肖特基结构及其制作方法，包括位于半导体基板上的元胞沟槽、有源区和终端耐压环；特征是：在所述沟槽式势垒肖特基结构的截面上，包括N型衬底、N型外延层、位于N型外延层上表面的势垒金属、正面金属和背面金属；所述元胞沟槽包括设置于N型外延层上部的沟槽，在沟槽的内壁和顶部的表面生长一层氧化层，在沟槽内腔中淀积导电多晶硅，在沟槽顶部表面的氧化层上设有多晶硅遮挡层；在所述有源区的垫垒金属下方形成一个P型注入区，该P型注入区位于N型外延层的上部。本发明能够优化表面的峰值电场，提高表面势垒金属的抗压能力，减小器件漏电，提高浪涌能力和高温可靠性。

轻型硅板舟

专利类型：实用新型法律状态：

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轻型硅板舟。提供了一种结构简单，提高强度和可靠性的轻型硅板舟。包括设有插孔的板状舟体和用于固定硅片的插棒，四只插棒为一组构成限位单元，所述限位单元是：所述插棒按正方形四角位置固定连接在所述板状舟体的插孔内，处于对角的两插棒内侧之间的距离等于硅片的直径；所述板状舟体上设有开孔机构，所述开孔机构位于限位单元内。本实用新型在确保板状舟体自身材质及机械强度的前提下，降低板状舟体的实际质量，为提高设备产能提供实际可行性，并提高高温炉管的使用寿命。本实用新型在限位单元内设置开孔机构，可通过设置通孔、穿孔或细孔，保证了板状舟体的强度，提高了生产效率和使用寿命。

一种贴片二极管的折弯机构及其工作方法

专利类型：发明专利法律状态：

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一种贴片二极管的折弯机构及其工作方法。涉及折弯模具领域。提出了一种结构精巧、使用方便、自动化程度高且加工精度高，并在使用过程中可在保持高效加工的同时，有效避免对引脚表面造成损伤的贴片二极管的折弯机构及其工作方法。所述上模组件包括上模板、上模板驱动组件、一对上模和一对上模驱动组件，所述上模板套接所述导柱，所述上模的顶端伸出至所述上模板的上方，所述上模驱动组件固定连接在上模板的顶面上、且用于驱动所述上模做直线往复运动；所述上模的底端铰接有压轮。本发明从整体上具有使用方便、自动化程度高、加工精度高、加工效率高且废品率低的特点。

带屏蔽电极的功率MOSFET元胞

专利类型：实用新型法律状态：

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带屏蔽电极的功率MOSFET元胞。涉及半导体器件制造领域，尤其涉及一种功率MOSFET元胞及其加工工艺。提供了一种工艺简单、成本低、控制难度小，与现有MOSFET元胞结构相比，能耗更低且性能稳定的带屏蔽电极的功率MOSFET元胞。所述外延层的第一主面上设有P型区域和N型区域，所述外延层的第二主面设有衬底，所述衬底上设有漏极金属层；所述外延层的第一主面设有栅极多晶硅层，所述栅极多晶硅层与所述外延层之间设有栅极氧化层；所述源极多晶硅与所述沟槽的侧壁之间设有氧化硅层。本实用新型提升芯片抗过压和抗过流的能力，从而提升芯片的使用寿命。

一种去除沟槽侧壁沉积物的方法

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本发明涉及一种去除沟槽侧壁沉积物的方法，包括：S1、在形成有金属的沟槽表面上使用方向性强的沉积工艺形成介质；S2、使用方向性弱的刻蚀工艺去除沟槽侧壁上的介质，露出侧壁上的金属；S3、使用方向性弱的刻蚀工艺去除沟槽侧壁上露出的金属；以及S4、去除沟槽顶部和底部残留的介质，露出沟槽顶部和底部的金属。

高温扩散板舟

专利类型：实用新型法律状态：

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高温扩散板舟。涉及半导体加工领域，尤其涉及高温扩散板舟。提供了一种结构简单，提高产品性能一致性的高温扩散板舟。所述限位单元是：所述插棒按正方形四角位置固定连接在所述板状舟体的插孔内，处于对角的两插棒内侧之间的距离等于硅片的直径；所述板状舟体在横向上设有若干均布设置的限位单元，所述板状舟体在横向上的两侧边相对设置、且向各自的外侧倾斜，使得板状舟体的截面呈上大下小的梯形。所述限位单元内设有通孔，所述通孔与硅片的中心线一致，所述通孔的孔径为硅片直径的1/2‑9/10。本实用新型提升了产能，提高了产品性能和稳定性。

框架、包含该框架的二极管

专利类型：实用新型法律状态：

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框架、包含该框架的二极管。提出了一种结构精巧、使用效果好且使用寿命长，使用时可有效避免局部过热、散热不均匀等问题，并结构稳定的框架、包含该框架的二极管。包括用于连接跳线的正极板和用于连接芯片的负极板；所述负极板包括连为一体的接线板和芯片板，所述接线板和芯片板之间开设有沟槽一，所述沟槽一的截面呈下小上大状；所述芯片板上具有用于承托芯片的芯片区，所述芯片区外侧设有沟槽二，所述芯片板的外缘呈阶梯状、且芯片板的外侧面呈向内凹陷状。本实用新型在同时削减了负极板和正极板的厚度的情况下，再结合原有的跳线的尺寸及散热能力，有效保证了两条路径的散热同步性以及散热效率。

超纯水加热恒温水箱

专利类型：实用新型法律状态：

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超纯水加热恒温水箱。涉及超纯水加热领域，尤其涉及超纯水用加热恒温水箱。提供了一种结构简单，提高加热可靠性的超纯水加热恒温水箱。所述温控系统包括温控器、加热器和热电偶，所述加热器和热电偶分别设在箱体内、且分别连接温控器；所述PFA盘管通过固定架设在箱体内，所述PFA盘管的两端分别为进水口和排水口，所述进水口和排水口分别位于箱体的外侧；所述箱盖上设有排风口，所述排风口上设有盖体，所述自动补水装置用于对箱体补水。所述自动补水装置包括补水箱、水位传感器、控制器和水泵，所述水位传感器设在箱体内，所述水位传感器连接控制器，所述控制器控制水泵使其从补水箱向箱体内补水。本实用新型方便加工，操作可靠。

贴片式半导体器件生产线

专利类型：实用新型法律状态：

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贴片式半导体器件生产线。涉及半导体器件加工领域，尤其涉及贴片式半导体器件生产线。提供了一种结构简单，连续生产，提高工作效率的贴片式半导体器件生产线。所述切筋机的出口连接水平输送带的进口，所述水平输送带穿过加热区和冷却区，所述水平输送带的出口位于载具组件的上方；所述载具组件包括若干依次堆叠的托盘，所述托盘的底部设有升降杆。所述加热区包括加热仓，所述加热仓的两侧设有通过气缸连接的拉门一；所述冷却区包括冷却仓，所述加热仓的两侧设有通过气缸连接的拉门二。所述拉门一和拉门二上分别设有感应器，所述感应器用于控制气缸。本实用新型方便连续生产，操作可靠。

适用于金属丝键合的trench肖特基芯片

专利类型：实用新型法律状态：

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适用于金属丝键合的trench肖特基芯片。涉及肖特基芯片，尤其涉及适用于金属丝键合的肖特基芯片。提供了一种在芯片区域内增加平面键合区域，避免沟槽损伤的适用于金属丝键合的trench肖特基芯片。所述trench区域上还设有平面键合区，所述平面键合区为光滑平面，所述平面键合区上敷设表面金属。所述trench区域的边缘和平面键合区的边缘分别设有保护环。所述沟槽的内壁经过氧化处理，形成二氧化硅层。本实用新型便于用户使用，也便于生产者区分键合线路走向，使芯片连接更加直观，便于查找故障点。

焊接空洞抑制装置

专利类型：实用新型法律状态：

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焊接空洞抑制装置。涉及晶片加工领域，尤其涉及抑制晶片加工过程中焊接空洞的装置。提供了一种结构简单、成本低、操作步骤简单且焊接空洞抑制效果好的焊接空洞抑制装置。所述防护仓中心设有可供步进电机的轴穿过的圆孔，所述步进电机的轴穿过圆孔并固定于防护仓的下表面上；四个所述烘干仓内分别设有电热装置，用于加热烘干仓，每个所述烘干仓分别通过旋转轴与所述步进电机的轴连接，所述旋转轴焊接在所述烘干仓的底部。本实用新型具有结构简单，便于生产且安全性能高，成本低、操作步骤简单且焊接空洞抑制效果好的优点。

光伏发电组件旁路保护模块

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光伏发电组件旁路保护模块。涉及一种光伏发电组件旁路保护模块。能避免雷击浪涌信号对旁路二极管的损伤从而造成旁路二极管失效。包括光伏发电板和旁路保护模块，旁路保护模块包括有若干相互串接的旁路二极管与若干串接的旁路二极管并联有雷击浪涌防护器件。本实用新型在收到雷击浪涌信号冲击时，旁路二极管和雷击浪涌保护器件同时导通，雷击浪涌保护器件连接在旁路二极管两端输出一个稳定的电压，形成稳压保护，避免了高压大电流对旁路保护二极管的冲击，使光伏发电板被短路，影响正常发电，造成严重经济损失。本实用新型实施形成的产品装置结构简单、性能可靠、成本低。

稳固型跳线

专利类型：实用新型法律状态：

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稳固型跳线。提出了一种结构稳定、稳定性好且可在跳线焊接过程中有效避免其与底板或芯片之间产生相对旋转运动的稳固型跳线。用于二极管模块的芯片和底板，所述跳线包括依次连为一体的焊接段一、连接段和焊接段二，所述焊接段一与芯片焊接，所述焊接段二与底板焊接，所述焊接段二的两侧设有分别与焊接段二连为一体的延伸段，所述延伸段远离焊接段二的一端呈弯头状，使得底板被夹持在两延伸段的端头之间。本实用新型通过两新增的延伸段，可在焊接跳线时有效夹住底板，从而有效避免跳线与底板之间可能出现的相对旋转运动，进而有效提升了产品的一致性与产品品质。本实用新型从整体上具有着结构稳定、稳定性好且废品率低的优点。

锡膏印刷治具

专利类型：实用新型法律状态：

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锡膏印刷治具。涉及半导体功率器件焊接加工领域，尤其涉及锡膏焊接的印刷治具。提供了一种结构简单，方便加工，便于控制锡膏量的锡膏印刷治具。所述吸盘定位板上设有用于放置负压吸盘的定位槽，所述负压吸盘的顶面均布设有若干用于放置基板的基板槽，所述丝网印刷板上设有若干与基板一一对应的基板模。所述吸盘定位板上设有负压通道一，所述负压吸盘上设有连通的负压槽和负压通道二，所述负压槽位于所述基板槽的下方，所述负压槽通过若干气路一一连通所述基板槽，所述负压通道一连通所述负压通道二。所述定位槽内设有定位柱，所述负压吸盘上设有与定位柱对应的定位孔。本实用新型提高了工作效率，可靠性高。

新型硅板舟

专利类型：实用新型法律状态：

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新型硅板舟。提供了一种结构简单，方便加工，提高产品质量的新型硅板舟。包括设有插孔的板状舟体和插棒；所述插棒通过支架设在插孔内，所述支架包括基座和支杆，所述支杆倾斜设在所述基座上，所述舟体的表面设有基槽，所述基座设在基槽内，所述插棒上设有穿槽，所述支杆设在所述穿槽内。本实用新型在工作中，插棒通过支架设置在插孔内，支架起到支撑的作用，避免了插棒发生倾斜；先将基座、支杆和插棒连接固定，再将基座对应放置在基槽内，插棒对应放置在插孔内，使其可靠地用于硅片的定位。本实用新型提高了插棒的使用寿命，降低了成本。

防滑扣推拉杆

专利类型：实用新型法律状态：

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防滑扣推拉杆。涉及推拉杆，尤其涉及用于硅板舟的推拉杆。提供了一种结构简单，避免损坏，提高质量可靠性的防滑扣推拉杆。所述杆体用于推拉硅板舟；所述杆体呈L形，所述杆体的头部为折弯体，所述折弯体的内侧设有嵌槽一、外侧设有嵌槽二，所述嵌槽一和嵌槽二分别用于放置硅板舟；所述硅板舟上设有推拉孔，所述推拉孔的孔径大于折弯体的截面尺寸。所述嵌槽一和嵌槽二分别呈C字形。所述硅板舟上设有立板，所述立板位于推拉孔的内侧。所述硅板舟上设有一对导板，一对导板相对设置、且位于推拉孔的两侧。本实用新型避免了员工操作过程中，人为地造成产品损坏的情况，降低异常发生的概率，保证了产品的质量。

粘胶限量机构

专利类型：实用新型法律状态：

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粘胶限量机构。提供了一种结构简单，便于控制用量的粘胶限量机构。包括针管和针头，所述针管的管口设有封头，所述封头的中心设有滑孔，所述针头通过弹簧连接在针管内，所述针头适配地设在所述滑孔内。本实用新型在工作中，针头通过弹簧与限制针管连接，弹簧决定限制针管的行程，且用于与设备连接的限制针管可以选择同一的规格，用于和不同规格的针头匹配，提高适应性；限制针管可以长期连续使用，避免频繁更换影响生产效率。本实用新型方便加工，操作可靠。

防反溅治具

专利类型：实用新型法律状态：

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防反溅治具。涉及芯片加工领域，尤其涉及芯片背面的防止光阻剂反溅的治具。提供了一种结构简单，使芯片背面无光阻剂残留，提升产品外观的防反溅治具。所述定位台的顶面边缘设有反溅圈一；所述中孔内设有主轴，所述主轴的顶面设有吸盘，所述吸盘的上方连接芯片一，所述芯片一和反溅圈一之间设有间隙，所述芯片一和反溅圈一的边缘位于同一平面。所述反溅圈一和定位台一体成型。所述定位台的外侧设有定位环，所述定位环上可拆卸连接设有反溅圈二。所述定位环和定位台一体成型。本实用新型操作可靠，提高了产品的质量。

方形整流桥绝缘测试装置

专利类型：实用新型法律状态：

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方形整流桥绝缘测试装置。涉及方形整流桥，尤其涉及方形整流桥的绝缘测试装置。提供了一种结构简单，测试方便，提高测试可靠性的方形整流桥绝缘测试装置。所述方形整流桥包括方形壳体和通过环氧胶设在方形壳体内的四个端子，所述绝缘测试装置包括测试仪、金属容器和若干金属颗粒，若干金属颗粒设在金属容器内，所述方形整流桥的四个端子设在金属颗粒内，所述测试仪的一个电极接触金属容器，另一个电极接触方形整流桥的方形壳体。所述端子的头部呈折弯状。所述金属容器的顶部敞口。本实用新型操作方便，节省作业时间，降低劳动强度，提高产品质量及良品率。

晶片显影装置

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晶片显影装置。涉及一种显影装置，尤其涉及一种用于晶片生产的显影装置。提供了一种结构简单，显影效果好，安全性高的晶片显影装置。若干所述隔舱的底部均设有相互连通的出气装置，所述出气装置上设有用于卡合晶片的凹槽和若干出气孔，所述出气装置内部设有供气体流通的气道，所述气道上设有与出气孔相对应的通孔；所述显影槽的外壁上设有与气道相通的进气口，所述进气口与气泵的输出端连接，所述气泵的输入端通过管道二连接储气罐，所述管道二上设有阀门二。所述密封盖上设有管道一，所述管道一上有阀门一，所述管道一通过三通与所述管道二、气泵的输出端相连通。本实用新型保证晶片相对静止，提高了显影效果。

可调节角度测试笔

专利类型：实用新型法律状态：

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可调节角度测试笔。提供了一种结构简单，方便调整角度，提高适应性的可调节角度测试笔。包括笔体和笔头，所述笔头活动连接在所述笔体上；所述笔体和笔头的相对面上分别设有齿轮一和齿轮二，所述齿轮一和齿轮二相啮合，所述笔头上设有一对嵌块，所述齿轮一上设有一对嵌槽，所述嵌块一一对应设在嵌槽内。本实用新型包括笔体和笔头，笔头和笔体之间通过齿轮啮合连接，操作人员可通过调节齿轮，改变测试笔头的角度，确保测试笔头与晶片表面呈近90°的接触，提高测试准确性，降低由于角度问题导致接触不良而产生误测的概率，并减小笔头的磨损，延长测试笔的使用寿命，使操作更加便捷，缓解操作人员的疲劳。本实用新型方便加工，操作可靠。

半导体框架的加工平台

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半导体框架的加工平台。提出了一种结构轻巧、使用效果好且夹持稳定，同时可有效降低对产品损伤，从而降低废边尺寸的半导体框架的加工平台。包括工作台和一对对称设置在工作台两侧的夹持组件，所述夹持组件包括伺服电机、传动轮组、丝杆、一对丝母和一夹爪，所述伺服电机固定连接在工作台的底面上，一对所述丝母固定连接在工作台的顶面上、且同轴心，所述丝杆穿设在一对丝母中、且与两丝母之间均通过螺纹连接，所述传动组件连接在伺服电机和丝杆之间，使得伺服电机和丝杆联动；本实用新型从整体上具有着夹持效果好、对产品零损伤、动作精度高、适用范围广的特点。

二极管模块的框架

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二极管模块的框架。提出了一种结构精巧、连接稳定性好且可靠性高，使得二极管模块整体具有更大的结构应力的二极管模块的框架。所述二极管模块包括框架、若干芯片、若干根跳线和封装体，所述框架包括若干本体；所述本体的表面上设有与本体连为一体的方形凸台，所述芯片贴合于所述方形凸台的顶面上。本实用新型中通过方形凸起在芯片焊接的四周提供一增强框架与封装体连接效果的方形区域，使用时可将芯片放置于方形凸起的正中心，从而在产品受到应力挤压时，进一步提升封装体与框架之间的粘附能力，避免因分层而对芯片产生的影响。

高导热整流桥芯片

专利类型：实用新型法律状态：

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高导热整流桥芯片。涉及一种整流桥芯片，尤其涉及对整流桥芯片散热功能的改进。提供了一种芯片体积小且散热功能好的高导热整流桥芯片。所述封装体内部设有焊接在基板上的整流桥电路，所述封装体上设有用于安装散热板的一对相对设置的卡槽；所述整流桥电路焊接在基板的正面，所述基板的背面设有一块散热板，所述散热板卡合在所述卡槽上；所述散热板的一面通过封装体紧贴在基板的反面，所述散热板的另一面紧贴PCB板。所述整流桥电路包括二极管芯片一~二极管芯片四，所述基板分为相互绝缘的区域一~区域四；所述区域一上设二极管一焊接位和二极管二焊接位；本实用新型提升了导热性能。提高了芯片的稳定性，提高产品合格率。

扩散炉用热电偶组件

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扩散炉用热电偶组件。涉及扩散炉加工领域，尤其涉及扩散炉用热电偶组件。提供了一种结构简单，方便操作，提高使用寿命的扩散炉用热电偶组件所述扩散炉包括炉膛和炉管，所述炉管设在炉膛内，所述炉膛上设有用于放置热电偶的穿孔；所述热电偶组件包括热电偶和支架，所述热电偶通过支架支撑连接在炉膛的穿孔内；所述热电偶包括陶瓷套管和热偶丝，所述陶瓷套管包覆热偶丝的一端为包覆段，所述包覆段位于所述炉膛内。所述支架包括撑盘和三个支杆，三个支杆均布连接在撑盘和炉膛之间、形成三角支撑，所述撑盘的盘口与穿孔的中心线一致。本实用新型方便加工，操作可靠。

整流桥芯片

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整流桥芯片。涉及电子技术领域，尤其涉及对芯片化整流桥的改进。提供了一种散热性能好、芯片体积小、可靠性高的整流桥芯片。所述封装体置于所述基板的正面，所述基板的反面焊接在所述PCB板上；所述PCB板从上到下依次分为绝缘层一、电路板层、绝缘层二、散热板层和绝缘层三，所述基板的反面与所述散热板层接触，所述电路板层用于连接PCB板的其他器件。所述整流桥电路包括二极管芯片一A~二极管芯片四A，所述基板分为相互绝缘的区域一A~区域四A；所述区域一A上设二极管一A焊接位和二极管二A焊接位，所述区域二A上设二极管三A焊接位；本实用新型提升了散热性能，保证了电路连通性和工作的稳定性。

二极管模块的引脚

专利类型：实用新型法律状态：

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二极管模块的引脚。提出了一种结构稳定、连接强度高且加工方便的二极管模块的引脚。所述引脚与二极管模块的框架连为一体、且其截面呈U字形，其特征在于，所述引脚的U字形开口的外侧开设有一对过渡面。本实用新型使用时，当U字形的引脚再次向内折弯进行铆接后，一对过渡面将呈相互贴合状，从而以“面对面”的接触形式取缔了现有技术中“边对边”的接触形式，从而有效提升了引脚与外部导线铆接后的连接强度，使得二者之间具有更好的连接稳定性，给二极管模块整体的使用效果带来了极大的提升。

用于半导体器件的测试头

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用于半导体器件的测试头。提出了一种结构精巧、使用效果好且稳定性好，使用后可有效降低测试机使用成本的用于半导体器件的测试头。包括由合金钢制成的安装座和测试头，所述安装座的一端开设有球窝，所述测试头呈球形、且容置于球窝中，所述测试头与球窝之间通过铜进行焊接。本实用新型中由于安装座和测试头均采用合金钢制成，而二者之间又采用铜进行焊接，因此，当测试头磨损状况超标时，拆下（可切除或直接加热融化铜材）原有测试头并重新焊入新测试头即可，受各自材料特性影响，在拆除和重新装入的过程中并不会对测试头的性能造成影响。这样，即可在测试头磨损后仅对其进行单独更替，从而大幅缩减测试机的使用成本。

半导体塑封残胶抑制结构

专利类型：实用新型法律状态：

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半导体塑封残胶抑制结构。涉及半导体封装技术领域，特别是涉及一种使用环氧树脂塑封过程中的残胶抑制技术。提供了一种结构简单，方便加工，防止残胶堆积的半导体塑封残胶抑制结构。所述引脚呈Z字形、具有上平板、斜板和下平板，所述上平板平行于下平板，所述上平板位于下平板的上方，所述下平板的内侧设有封板，所述封板位于上平板的正下方，所述下平板的底面、封板的底面与塑封体的底面位于同一平面。所述封板上设有若干通孔。所述封板与引脚一体成型。本实用新型提升了产品外观，保证客户端的良好焊接。

一种带屏蔽电极的功率MOSFET元胞及其加工工艺

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一种带屏蔽电极的功率MOSFET元胞及其加工工艺。涉及半导体器件制造领域，尤其涉及一种功率MOSFET元胞及其加工工艺。提供了一种工艺简单、成本低、控制难度小，与现有MOSFET元胞结构相比，能耗更低且性能稳定的一种带屏蔽电极的功率MOSFET元胞及其加工工艺。所述外延层的第一主面上设有P型区域和N型区域，所述外延层的第二主面设有衬底，所述衬底上设有漏极金属层；所述外延层的第一主面设有栅极多晶硅层，所述栅极多晶硅层与所述外延层之间设有栅极氧化层；所述源极多晶硅与所述沟槽的侧壁之间设有氧化硅层。本发明提升芯片抗过压和抗过流的能力，从而提升芯片的使用寿命。

一种焊接空洞抑制装置及其工作方法

专利类型：发明专利法律状态：

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一种焊接空洞抑制装置及其工作方法。涉及一种晶片加工领域，尤其涉及一种抑制晶片加工过程中焊接空洞的装置及其工作方法。提供了一种结构简单、成本低、操作步骤简单且焊接空洞抑制效果好的焊接空洞抑制装置及其工作方法。所述防护仓中心设有可供步进电机的轴穿过的圆孔，所述步进电机的轴穿过圆孔并固定于防护仓的下表面上；四个所述烘干仓内分别设有电热装置，用于加热烘干仓，每个所述烘干仓分别通过旋转轴与所述步进电机的轴连接，所述旋转轴焊接在所述烘干仓的底部。本发明具有结构简单，便于生产且安全性能高，成本低、操作步骤简单且焊接空洞抑制效果好的优点。

一种适用于金属丝键合的trench肖特基芯片及其加工工艺

专利类型：发明专利法律状态：

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一种适用于金属丝键合的trench肖特基芯片及其加工工艺。涉及一种肖特基芯片及其加工工艺，尤其涉及一种适用于金属丝键合的肖特基芯片及其加工工艺。提供了一种在芯片区域内增加平面键合区域，避免沟槽损伤的适用于金属丝键合的trench肖特基芯片及其加工工艺。所述trench区域上还设有平面键合区，所述平面键合区为光滑平面，所述平面键合区上敷设表面金属。所述trench区域的边缘和平面键合区的边缘分别设有保护环。所述沟槽的内壁经过氧化处理，形成二氧化硅层。本发明便于用户使用，也便于生产者区分键合线路走向，使芯片连接更加直观，便于查找故障点。

一种碳化硅表面清洁方法

专利类型：发明专利法律状态：

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一种碳化硅表面清洁方法。提供了一种方便清洁、降低表面消耗，操作可靠性高的碳化硅表面清洁方法。包括以下步骤：S1：在碳化硅具有杂质的表面沉积一层固体物质；S2：将固体物质与碳化硅表面物质进行反应，形成反应层；S3：去除反应层以及反应层上剩余的固体物质；S4：清洁完成。本发明在工作中，与碳化硅紧密接触的固体材料，在高温下，短时间内与碳化硅材料（以及其表面杂质污染物质）反应，形成化合物，并且可以被这种固体材料以及其化合物对应的湿法腐蚀工艺去除，留下干净新鲜的理想碳化硅表面。

一种框架、包含该框架的二极管及二极管的加工工艺

专利类型：发明专利法律状态：

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一种框架、包含该框架的二极管及二极管的加工工艺。提出了一种结构精巧、使用效果好且使用寿命长，使用时可有效避免局部过热、散热不均匀等问题，并结构稳定的框架、包含该框架的二极管及二极管的加工工艺。包括用于连接跳线的正极板和用于连接芯片的负极板；所述负极板包括连为一体的接线板和芯片板，所述接线板和芯片板之间开设有沟槽一，所述沟槽一的截面呈下小上大状；所述芯片板上具有用于承托芯片的芯片区，所述芯片区外侧设有沟槽二，所述芯片板的外缘呈阶梯状、且芯片板的外侧面呈向内凹陷状。本发明在同时削减了负极板和正极板的厚度的情况下，再结合原有的跳线的尺寸及散热能力，有效保证了两条路径的散热同步性以及散热效率。

排酸管道过滤器

专利类型：实用新型法律状态：

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排酸管道过滤器。提供了一种可方便拆装、更换、清洗滤芯的排酸管道过滤器。包括壳体、盖板和滤芯，所述盖板与所述壳体通过螺纹连接，所述滤芯设在所述壳体中并与所述盖板通过螺纹连接，所述盖板上设有进液口和进液管，所述壳体底部设有出液口和出液管，所述滤芯连接在所述进液口的下方。本实用新型设有与壳体螺纹连接的盖板，滤芯与盖板也通过螺纹连接，方便拆、装，便于清洗和更换滤芯；2）滤芯包括网状的内筒和折组件，用内筒实现粗滤，折组件实现精滤，过滤效果更佳。

一种同向阵列式整流桥堆

专利类型：发明专利法律状态：

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一种同向阵列式整流桥堆。提供了一种结构紧凑，整体布局更加合理，进而有效降低产品体积和成本的同向阵列式整流桥堆。包括芯片一~四、框架一~四和跳线一~四，所述框架一~四由各自的本体和引脚构成，四只所述的框架呈对侧布局，其中所述框架一和框架三的本体呈矩形，相互之间保持绝缘距离、处于所述对侧布局的一侧；所述框架二和框架四的本体呈C形，相互之间呈咬合位置关系、且保持绝缘距离、处于所述对侧布局的另一侧；所述芯片一布设在所述框架一本体的正面，所述芯片二和芯片四分别布设在所述框架四本体的正面，所述芯片三布设在所述框架三本体的正面，所述芯片一~四的极性朝向一致。本发明中的产品质量稳定，成本大幅度降低。

框架总成

专利类型：实用新型法律状态：

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框架总成。涉及二极管模块加工过程中框架的改进。结构精巧、加工方便。包括顶梁、n个框架、n个底梁和n-1对卸力条。末位本体的中部开设有凹槽，使得倒数第二位本体伸入凹槽中，末位本体背向凹槽的一侧端面上设有与末位本体连为一体的翻边；n个所述框架依次设置、且所有引脚均固定连接在顶梁的一侧，所述底梁固定连接在同一框架中的两汇流带焊接脚之间，所述卸力条成对使用、且固定连接在相邻框架的两汇流带焊接脚之间，同一对卸力条相对且对称设置、且均呈弧形。本案从整体上具有加工过程稳定、高效的特点，且在后续加工、装夹、使用时具有较高的结构稳定性。

一种GPP芯片的预焊治具及其使用方法

专利类型：发明专利法律状态：

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一种GPP芯片的预焊治具及其使用方法。提供了一种结构精巧、操作方式简便、对芯片无损伤，在芯片装入时可实现芯片统一分向的GPP芯片的预焊治具及其使用方法。GPP芯片依次包括小铜粒、小焊片、芯片、大焊片和大铜粒；预焊治具包括预焊模、预焊模盖、小铜粒筛盘、芯片筛盘、大铜粒筛盘和负压源；预焊模的顶面上开设有若干芯片焊槽和若干定位孔，芯片槽的槽底开设有小铜粒焊槽；本发明中利用上述分向原理加上其真空吸附原理，可在有效避免人工夹取对芯片造成的损伤并大幅的提高工作效率和加工效果的前提下，有效的使得所有芯片容置槽中的芯片均为一直的P面朝上，并在“倒置”之后使得所有芯片均P面朝下落入预焊模中的芯片焊槽中。

框架、包含该框架的二极管模块

专利类型：实用新型法律状态：

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框架、包含该框架的二极管模块。涉及其中针对二极管模块及其内部结构提出的改进。结构精巧、使用效果好且使用寿命长，使用时可有效避免局部过热、散热不均匀等问题。包括n个依次相邻的本体，相邻所述本体之间留有间隙，通过n个本体串接n-1个芯片，所述芯片的正极和负极分别连接在相邻的两本体上，首位所述本体与芯片的正极连接，末位所述本体与芯片的负极连接，末位本体的中部开设有凹槽，使得倒数第二位本体伸入凹槽中、且末位芯片的正极位于凹槽内。本实用新型工作时可进行均匀散热，提升了框架的散热效果并延长了使用寿命，使得二极管模块整体的电性能以及使用稳定性得到了大幅提升。

新型二极管模块的跳线

专利类型：实用新型法律状态：

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新型二极管模块的跳线。本实用新型涉及对跳线结构提出的改进。结构精巧、加工方便且稳定性好。包括工作部一、工作部二和工作部三，所述工作部一和工作部二之间通过主跳线连接，所述工作部二和工作部三之间通过副跳线连接、且工作部二和工作部三均与芯片连接。所述主跳线和副跳线均由铝制成、且均呈弧形。本案对各个工作部以及芯片表面的精度要求较低；从加工要求看，本案的结构形态对焊接精度以及焊接均匀度要求不高。结合上述两点，即在保证了电性能的前提下有效解决了现有技术中存在的弊端。从整体上具有稳定性好、电性能优良、造价低廉以及加工方便的特点。

一种框架总成及其加工工艺

专利类型：发明专利法律状态：

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一种框架总成及其加工工艺。涉及二极管模块加工过程中框架的改进。结构精巧、加工方便。包括顶梁、n个框架、n个底梁和n-1对卸力条。末位本体的中部开设有凹槽，使得倒数第二位本体伸入凹槽中，末位本体背向凹槽的一侧端面上设有与末位本体连为一体翻边；n个所述框架依次设置、且所有引脚均固定连接在顶梁的一侧，所述底梁固定连接在同一框架中的两汇流带焊接脚之间，所述卸力条成对使用、且固定连接在相邻框架的两汇流带焊接脚之间，同一对卸力条相对且对称设置、且均呈弧形。本案从整体上具有加工过程稳定、高效的特点，且在后续加工、装夹、使用时具有较高的结构稳定性。

一种框架、包含该框架的二极管模块及二极管模块的加工工艺

专利类型：发明专利法律状态：

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一种框架、包含该框架的二极管模块及二极管模块的加工工艺。涉及其中针对二极管模块及其内部结构、加工工艺提出的改进。结构精巧、使用效果好且使用寿命长，使用时可有效避免局部过热、散热不均匀等问题。包括n个依次相邻的本体，相邻所述本体之间留有间隙，通过n个本体串接n-1个芯片，所述芯片的正极和负极分别连接在相邻的两本体上，首位所述本体与芯片的正极连接，末位所述本体与芯片的负极连接，末位本体的中部开设有凹槽，使得倒数第二位本体伸入凹槽中、且末位芯片的正极位于凹槽内。本发明工作时可进行均匀散热，提升了框架的散热效果并延长了使用寿命，使得二极管模块整体的电性能以及使用稳定性得到了大幅提升。

一种新型二极管模块的跳线

专利类型：发明专利法律状态：

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一种新型二极管模块的跳线。涉及对跳线结构提出的改进。结构精巧、加工方便且稳定性好。包括工作部一、工作部二和工作部三，所述工作部一和工作部二之间通过主跳线连接，所述工作部二和工作部三之间通过副跳线连接、且工作部二和工作部三均与芯片连接。所述主跳线和副跳线均由铝制成、且均呈弧形。本案对各个工作部以及芯片表面的精度要求较低；从加工要求看，本案的结构形态对焊接精度以及焊接均匀度要求不高。结合上述两点，即在保证了电性能的前提下有效解决了现有技术中存在的弊端。从整体上具有稳定性好、电性能优良、造价低廉以及加工方便的特点。

用于框架的锡膏印刷组件

专利类型：实用新型法律状态：

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用于框架的锡膏印刷组件。提供了一种结构简单，提高工作效率，确保锡膏量均匀、一致的用于框架的锡膏印刷组件。包括框架和印刷板，所述框架中间具有矩形孔，所述矩形孔的一侧均布设有若干水平支撑板一，所述支撑板一上设有锡膏槽一，所述印刷板的一侧设有若干与所述锡膏槽一一一对应的锡膏孔一；所述矩形孔的另一侧均布设有若干锡膏槽二，所述印刷板的另一侧均布设有与所述锡膏槽二一一对应的锡膏孔二，所述矩形孔的另一侧与所述印刷板的另一侧通过段差结构对应连接。本实用新型提高了锡膏的装填效率，锡膏一次性印刷，定位更加精确，同时确保了锡膏的均匀性和一致性。

锡膏印刷组件

专利类型：实用新型法律状态：

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锡膏印刷组件。提供了一种结构简单，提高工作效率，确保锡膏量均匀、一致的锡膏印刷组件。包括框架和印刷板，所述框架和印刷板均为平板，所述中间框架具有矩形孔，所述矩形孔的两侧分别对称均布设有若干支撑板，所述支撑板上设有锡膏槽，所述印刷板上设有若干锡膏孔，所述锡膏槽和所述锡膏孔一一对应。本实用新型在工作中，首先技术人员将印刷板和框架位置调试准确，将锡膏放置于印刷板正面，锡膏初始位置放置在印刷板的一端，然后，使用刮刀来回各刮一遍，使得锡膏从锡膏孔进入至锡膏槽内，即可完成锡膏印刷。印刷板和框架之间的定位结构使得两者定位可靠，方便快速。本实用新型提高了锡膏的装填效率，定位可靠。

锡膏印刷机构

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

锡膏印刷机构。提供了一种结构简单，提高工作效率，确保锡膏量均匀、一致的锡膏印刷机构。包括框架和印刷板，所述框架中间具有矩形孔，所述矩形孔的一侧设有均布的折弯凸起，所述折弯凸起的头部两侧对称设有倾斜的凸块，另一侧设有均布的水平支撑板，所述折弯凸起和支撑板上分别设有锡膏槽；所述印刷板的一侧设有用于放置折弯凸起的长条形槽，所述长条形槽内设有均布的定位块，所述定位块位于所述折弯凸起两侧的凸块之间，所述定位块上设有与所述折弯凸起上的锡膏槽对应的锡膏孔，所述印刷板的另一侧均布设有与所述支撑板上的锡膏槽对应的锡膏孔。本实用新型提高了锡膏的装填效率，定位可靠。

锡膏印刷组

专利类型：实用新型法律状态：

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锡膏印刷组。提供了一种结构简单，提高工作效率，确保锡膏量均匀、一致的锡膏印刷组。包括框架和印刷板，所述框架中间具有矩形孔，所述矩形孔的一侧设有均布的折弯凸起，另一侧设有均布的水平支撑板，所述折弯凸起和支撑板上分别设有锡膏槽；所述印刷板的一侧设有用于放置折弯凸起的长条形槽，所述长条形槽的底面设有与所述折弯凸起上的锡膏槽对应的锡膏孔，所述印刷板的另一侧均布设有与所述支撑板上的锡膏槽对应的锡膏孔。本实用新型提高了锡膏的装填效率，定位可靠。

整流桥跳线

专利类型：实用新型法律状态：

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本实用新型提供了一种结构简单，提高产品性能和使用寿命的整流桥跳。依次包括连为一体的工作部一、连接部和工作部二，所述工作部一用于连接晶粒，所述工作部二用于连接框架，所述工作部一的顶面平行于所述工作部二的顶面；所述工作部一的顶面设有凹槽，所述工作部一的底面设有凸台。本实用新型通过重新设计GBU整流桥产品跳线，达到减小产品应力、降低产品功耗、降低产品热阻、提升产品的可靠性。

一种用于框架的锡膏印刷组件

专利类型：发明专利法律状态：

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一种用于框架的锡膏印刷组件。提供了一种结构简单，提高工作效率，确保锡膏量均匀、一致的用于框架的锡膏印刷组件。包括框架和印刷板，所述框架中间具有矩形孔，所述矩形孔的一侧均布设有若干水平支撑板一，所述支撑板一上设有锡膏槽一，所述印刷板的一侧设有若干与所述锡膏槽一一一对应的锡膏孔一；所述矩形孔的另一侧均布设有若干锡膏槽二，所述印刷板的另一侧均布设有与所述锡膏槽二一一对应的锡膏孔二，所述矩形孔的另一侧与所述印刷板的另一侧通过段差结构对应连接。本发明提高了锡膏的装填效率，锡膏一次性印刷，定位更加精确，同时确保了锡膏的均匀性和一致性。

用于支撑汇流带的底板

专利类型：实用新型法律状态：

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用于支撑汇流带的底板。提供了一种拆卸方便，便于维修，降低报废率的用于支撑汇流带的底板。包括用于连接铜片和压接电缆线的底板，所述底板可拆卸式的设于接线盒内，所述底板上设有至少两组卡槽，所述卡槽的入口处设有导向斜面，还包括与所述卡槽一一对应的挡片，所述挡片两侧底缘设有一对转轴，所述一对转轴同轴、且平行于所述挡片，所述卡槽的两侧设有一对与所述转轴相适配的轴孔，所述转轴活动设于所述轴孔内，所述底板下部的底缘还设有一对限位槽，所述卡槽的底面设有凹槽。本实用新型便于安装和拆卸，提高工作效率，也使得在安装/拆卸过程中，保持卡槽的完整性，降低产品报废率。同时，在卡槽的上方设置挡片，防止灰尘等污染物进入卡槽。

新型框架

专利类型：实用新型法律状态：

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新型框架。提供了一种结构简单，优化框架设计，提升散热能力的新型框架。所述框架包括铜片一、铜片二、铜片三和铜片四，铜片一、铜片二、铜片三和铜片四的中部为焊接区、且相互之间留有间隙；所述铜片一的焊接区设有容置区，所述铜片二的焊接区延伸至所述铜片一的容置区内；所述铜片一的焊接区的外侧呈向上的折弯体。本实用新型在铜片一的一侧增加一个高度在0.1mm~2mm之间的边缘加强筋（即折弯体），并将铜片二的焊接区往铜片一的容置区内延伸，增加焊接区域的面积，提升中间芯片散热时框架的散热能力。本实用新型在不增加成本的前提下，优化框架设计，提升能力。

新型连接模块

专利类型：实用新型法律状态：

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新型连接模块。提出了一种结构精巧、使用方便且可适用于不同间距的汇流带的安装，从而满足客户需求的新型连接模块；本实用新型包括用于连接接线盒的连接座和若干用于容置汇流带的连接脚；所述连接模块还包括若干位于相邻连接脚之间的T字形挡块，所述T字形挡块包括连为一体的横挡块和竖挡块；所述连接座背向接线盒的一侧端面上开设有若干位于竖挡块下方的螺纹槽，所述竖挡块远离横档块的一端穿设有若干与所述螺纹槽适配的螺栓；本实用新型适用于不同间距的汇流带的安装，满足了不同客户的需求，具有结构精巧、使用方便及适用范围广泛的特点。

新型注塑系统

专利类型：实用新型法律状态：

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新型注塑系统。涉及半导体器件的注塑系统领域，本案将注塑机和高频预热机相连接，并配合使用，从而使得高频预热机在下一工序的合模之间提前预热，并于合模时完成预热；使得高频预热机的预热时间与注塑机的合模时间的时间差由时间继电器模块进行统一控制，从而有效避免了黑胶出现预设不充分或预热过度的问题；使得本案具有自动化程度高、工作效率高及加工效果好的特点。

炉管的清洗台

专利类型：实用新型法律状态：

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炉管的清洗台。涉及半导体电子元器件制造技术领域。提出了一种结构简单、使用效果好，使用时酸液消耗量低、安全性高且清洗效果好的炉管的清洗台。包括台体、引流管、密封盖和两组滚轮，所述引流管平行设置在台体的上方、且引流管的一端通过支架与所述台体固定连接，两组所述滚轮沿所述引流管对称分布、且均通过滚轮架固定连接在台体的顶面上；所述炉管架设在两组所述滚轮上、且空套所述引流管，所述密封盖套接在所述引流管上、且与所述炉管的一端可拆卸的连接；所述引流管分为引流部和出流部，所述出流部伸入所述炉管内，所述出流部远离所述引流部的一端呈密封状、且出流部的表面上设有若干出流孔。具有安全性高、使用效果好的特点。

多样式切割盘

专利类型：实用新型法律状态：

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多样式切割盘。提供了一种结构简单，方便操作，提高芯片切割可靠性的多样式切割盘。包括盘本体，盘本体上分别设有晶片容置区一和晶片容置区二，晶片容置区一和晶片容置区二的中心一致，晶片容置区一的截面积小于晶片容置区二的截面积，晶片容置区一的下方设有呈环状的真空孔一；晶片容置区一和晶片容置区二之间设有呈环状的凹槽。本实用新型将现有激光切割盘的真空孔一位置调整至适合晶片容置区一放置的晶片的位置下部，并且在晶片容置区一和晶片容置区二之间开设凹槽，保证切割不同尺寸的晶片不会受到影响，避免干扰。如切割三寸晶片放置在切割盘内圈，四寸晶片放置在整个切割盘上，这样保证无论三寸晶片或四寸晶片切割时晶片真空稳定无位移。

溶解器

专利类型：实用新型法律状态：

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溶解器。提供了一种结构简单，方便操作的溶解器。包括出水管、支架、溶解盒和抽屉式装粉槽，所述支架水平连接在所述出水管上，所述溶解盒设在所述支架的前端、且位于所述出水管的出水口的正下方，所述溶解盒的上部为网状格板、下部开口，所述溶解盒的一侧设有卡槽；所述抽屉式装粉槽的上部开口、下部设有网状挡板，所述抽屉式装粉槽可拆卸连接在所述溶解盒的卡槽内。本实用新型将支架与溶解盒固定在出水管（热水源）上，溶解盒位于出水口的正下方，将Haemo-sol粉倒入抽屉式装粉槽中，抽屉式装粉槽下部为网状挡板，网格尺寸小于粉状颗粒尺寸，使得溶解后从下部流入超声振荡槽中。本实用新型操作性好、使用效果佳。

装舟工作台

专利类型：实用新型法律状态：

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装舟工作台。提供了一种结构简单，操作方便，能提高晶片的洁净度和设备使用效率的装舟工作台。包括工作台和设置在工作台上的封闭式的抽气装置，所述抽气装置包括抽气罩、抽气管、吹气管、感应器和一对套袖，所述抽气罩罩设于所述工作台上，所述抽气罩具有出气口、吹气通道、进出专用门和一对手臂进出孔，所述进出专用门铰接设于所述抽气罩的侧面，所述吹气通道设于所述抽气罩的侧壁内且位于所述进出专用门的上方，所述一对手臂进出孔设于所述抽气罩的前面，所述出气口设于所述抽气罩的后面。本实用新型结构简单，操作方便，提高抽气装置的利用率，降低其运行负担，同时也提高了晶片的洁净度。

多功能芯片测试笔

专利类型：实用新型法律状态：

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多功能芯片测试笔。提供了一种结构简单，方便操作，保证接触面积和测试结果的多功能芯片测试笔。包括仪表、表笔、测试开关和罩盘，所述表笔通过表笔连接线连接所述仪表，所述测试开关设在所述表笔上、且通过测试开关连接线连接所述仪表；所述罩盘设在所述表笔的头部、且用于放置芯片。本实用新型将测试仪表上的测试开关移至测试表笔上，使表笔与测试开关成为一体，操作员可将测试表笔接触芯片的同时按动测试开关，达到单手可测试芯片的效果，提高可操作性及效率。表笔上设置罩盘，可将芯片放置在罩盘内，提高芯片放置的可靠性。本实用新型提高了工作效率，操作简便。

新型感温棒套筒

专利类型：实用新型法律状态：

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新型感温棒套筒。提供了隔热效果好，强度高，使用寿命长的新型感温棒套筒。所述套筒包括外壁和内壁，所述内壁设于所述外壁内、且所述外壁和内壁的上端连成一体，所述内壁的外径小于所述外壁的内径，使得所述外壁和内壁的壁体之间形成空心状的隔热层，所述外壁的内侧设有若干加强筋，所述内壁的内侧设有至少两道散热槽，所述散热槽竖向设置、且连通至所述内壁的内侧底部，所述外壁的底部和内壁的底部之间设有支撑环。本实用新型有效阻隔热量向内扩散，延长使用寿命。由于外壁和内壁之间为空心，即使外壁变形也不会影响内壁的整体形状，有效保护感温热偶。内壁的内侧设有散热槽，有效降低套筒的整体温度。

新型石英缸

专利类型：实用新型法律状态：

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新型石英缸。涉及半导体电子元器件制造技术领域。提出了一种结构新型、使用方便，可实现多余酸液的定量排出、且安全性极高的新型石英缸。包括顶部敞口的缸体，所述石英缸还包括虹吸组件，所述虹吸组件包括小管、大管、活塞、连杆和端盖；所述大管固定连接在缸体的外壁上、且大管的底端延伸至缸体的下方，所述小管设在缸体内、且小管的底端与缸体的底面具有间隙，所述小管的顶端和大管的顶端相连通；所述活塞的外径与大管的内径一致、且滑动连接在大管内，所述连杆与活塞的底面固定连接、且伸出至大管的底口外，所述端盖套接在连杆上、且与大管的底端可拆卸的连接。具有使用方便、结构原理清晰，可实现多余酸液的定量排出、且安全性极高的特点。

新型桥堆

专利类型：实用新型法律状态：

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新型桥堆。提供了一种结构简单，加工方便，提高产品可靠性的新型桥堆。包括封装体和置于封装体内的四个芯片、四个框架以及三根跳线，四个所述芯片分别一一对应设在四个所述框架上、且芯片的P极朝上设置，所述跳线分别连接芯片和框架，使得四个框架形成整体；四个所述框架伸出所述封装体，形成四个引脚。本实用新型在加工中，四个芯片通过三根跳线相连，在产品功能没有变更的基础上，实现了结构的优化，四个芯片的P面向上，在后续加工中，使得使用超声波打丝的工艺成为可能，为进一步降低成本，打下了很好的基础。本实用新型提高了生产效率，降低了生产成本。

芯片分检装置

专利类型：实用新型法律状态：

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芯片分检装置。提供了一种结构简单，方便操作，提高工作效率的芯片分检装置。包括基板和底板，所述基板上均布设有若干芯片分向槽，所述芯片分向槽为上大下小的通槽，所述底板的顶面中心设有上大下小的阶梯槽，所述基板适配地设在所述底板的阶梯槽的大阶梯槽内，所述基板的高度小于所述底板的阶梯槽的大阶梯槽的高度，所述底板的顶面设有芯片导出口，所述芯片导出口位于所述底板的阶梯槽的大阶梯槽的一侧，所述芯片导出口的底面和所述基板的顶面位于同一平面；所述芯片分向槽连通所述底板的阶梯槽的小阶梯槽，所述底板的阶梯槽的小阶梯槽通过气孔连通负压源。本实用新型操作性好、使用效果佳。

自重闭合式楔形阀装置

专利类型：实用新型法律状态：

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自重闭合式楔形阀装置。提供了一种结构简单，可以彻底排除了开关阀门对酸液/碱液形成的污染源，提高产品质量的自重闭合式楔形阀装置。所述楔形阀装置设置在容器内，所述容器的顶面设有排气口、底面设有安装孔；所述楔形阀装置包括楔形阀体、楔形阀座、连接套管、出口管道和提升机构，所述楔形阀体通过所述提升机构活动设在所述排气口内，所述楔形阀座固定连接在所述安装孔内，所述楔形阀座的上部设有楔形孔，所述楔形阀体适配地设在所述楔形孔内；所述出口管道通过所述连接套管连接在所述楔形阀座的下部。本实用新型便于加工，提高了工作的可靠性。

用于连接汇流带的框架

专利类型：实用新型法律状态：

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用于连接汇流带的框架。提供了一种结构简单，可将汇流带直接连接于引脚上，极大简化了接线盒和组件的安装流程的用于连接汇流带的框架。所述框架包括铜片一、铜片二、铜片三和铜片四，铜片一、铜片二、铜片三和铜片四相互之间的中部留有均匀的间隙，铜片一、铜片二、铜片三和铜片四的上部为引脚，所述引脚上设有带孔；所述引脚上还设有卡片，所述卡片呈L形、包括连为一体的固定片和旋转片，所述固定片水平设置、且位于所述带孔的上方，所述旋转片用于覆盖所述带孔。本实用新型在工作中，汇流带可经过通孔穿过，可根据需求将卡片压紧固定汇流带，也可将汇流带穿过通孔进行焊接，应用方式灵活多变。

折弯框架

专利类型：实用新型法律状态：

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折弯框架。提供了一种结构简单，降低框架变形程度，提高质量的折弯框架。所述框架包括铜片一~四，铜片一~四相互之间的中部留有均匀的间隙，铜片一~四的外部设有塑封体；铜片一~四的中部的下部呈向上的折弯体，所述折弯体的高度大于框架的厚度、且小于所述塑封体的顶面和框架顶面之间的距离。本实用新型在框架的中下部设计成向上垂直折弯结构，塑封后折弯部分仍被包裹在本体内部，当塑封体由于热胀冷缩产生形变时，折弯部分会抵抗此种形变，降低材料的弯曲度并保证芯片不受损害。本实用新型能够在不改变材料外形和性能的前提下，改善材料的弯曲状况，使得材料获得良好的外观良率和可靠性。

一种整流子下料装置及其加工工艺

专利类型：发明专利法律状态：

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一种整流子下料装置及其加工工艺。涉及对CELL整流子下料器及其加工工艺的改进。提供了一种结构简便，且保证产品质量的整流子下料装置及其加工工艺。包括封胶板和下料装置，在所述封胶板上设有若干用于容置所述整流子本体的通孔；所述下料装置包括冲头驱动装置、冲头和下料槽，所述冲头驱动装置包括活塞杆，所述冲头连接在所述活塞杆的下端；所述封胶板搁置在所述下料槽上、处于所述冲头下方。所述整流子本体包括芯片，设于芯片顶面和底面的正负电极；然后对所述整流子本体按以下步骤进行加工的：1）、定位；2）、涂胶；3）、烘干；4）、冷却、除胶膜；5）、下料。本发明大大节省了劳动时间，减少了人力，提高了工作效率。

防抛料贴片载料条

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

防抛料贴片载料条。提供了一种能降低抛料率，提高生产效率，降低生产成本，提高产品质量的防抛料贴片载料条。包括载料条、贴片机底座和一对锁扣，所述载料条呈长条状，所述一对锁扣分别设于所述载料条的两端、并贯穿所述载料条，将所述载料条固定于所述贴片底座上，所述载料条上设有若干间隔齿，相邻所述间隔齿之间形成凹槽，所述间隔齿呈T形，所述间隔齿包括上间隔齿和下间隔齿，所述上间隔齿与所述下间隔齿连成一体，所述贴片机底座底部设有底座槽口。本实用新型采用T形间隔齿，使间隔齿与底座槽口相适配，通过底座槽口对载料条上间隔齿的限位作用达到防止载料条扭曲出现的抛料现象，提高生产效率，降低抛料率，降低生产成本，提高产品质量。

一种光伏模块

专利类型：实用新型法律状态：

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一种光伏模块。提供了一种结构简单，温度均衡性好，进而促使产品稳定性高的光伏模块。包括铜片一~四、芯片一~三和若干跳线，铜片一~四相互之间留有均匀的间隙，在铜片一上设有芯片一，铜片二上设有芯片二，芯片一和芯片二的极性相同；所述芯片三设在所述铜片四上，所述芯片三的极性与所述芯片一、二相反，然后，再通过跳线与所述铜片三相连。本实用新型对模块内部焊接结构和芯片的焊接位置进行了调整，将其中一只芯片的位置进行了“转位”，这样就使得该芯片的热能远离下一只芯片、远离成品的中间位置，避免在产品的中部堆积热量，导致芯片温升；进而使得产品整体的性能改善。

一种超薄二极管引脚

专利类型：实用新型法律状态：

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一种超薄二极管引脚。提供了一种通电能力强，增加焊接面，可适用于大芯片的超薄二极管引脚。包括引脚一、引脚二和封装体，所述引脚一和所述引脚二呈片状，所述引脚一包括内端面一和外端面一，所述引脚二包括内端面二和外端面二，所述内端面一连接所述封装体的一端，所述内端面二连接所述封装体的另一端，所述内端面一的端部设有方形凹槽一，还包括镶块一，设于所述凹槽一内，所述镶块一的平面面积＞所述内端面一的平面面积。本实用新型为二极管提供了新的设计理念，将传统的引脚由直上直下式设计，变更为引脚与芯片接触的地方局部增大，即为镶块。在不影响封装的前提下，尽可能的将镶块的平面面积增大，使用大芯片，产品的通电流能力可得到提高。

二极管用混合酸自动循环搅拌装置

专利类型：实用新型法律状态：

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二极管用混合酸自动循环搅拌装置。提供了一种结构简单，有效避免酸液沉淀分层、挥发，保证了容器密闭性的二极管用混合酸自动循环搅拌装置。所述混合酸设在密闭容器内，所述密闭容器的底面连通设有注酸管；所述自动循环搅拌装置包括耐酸泵、循环管、自动控制器和液位控制器，所述循环管包括管体一和管体二，所述管体一具有进酸口和接口一，所述管体二具有出酸口和接口二，所述进酸口连接在所述密闭容器的底面，所述出酸口连接在所述密闭容器的顶面，所述接口一和接口二分别连接所述耐酸泵的进、出液口；本实用新型通过混合酸体外周期性自动循环搅拌式流动，防止了酸液的沉淀分层，保证了密闭容器的密闭性，避免了酸液温度受循环搅拌过程的影响。

二极管跳线的连接板

专利类型：实用新型法律状态：

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二极管跳线的连接板。涉及二极管跳线的转运领域。提出了一种结构精巧、使用方便且成本低廉的二极管跳线的连接板。所述二极管跳线包括本体，所述本体包括工作部一、连接部和工作部二，所述连接部凸起、且分别与工作部一、工作部二形成段差面；所述连接板包括连为一体的一对边板、若干隔板和若干连板；一对所述边板平行设置，若干所述隔板位于一对所述边板之间、且均与所述边板平行，若干所述连板同向设置、且与所述隔板垂直；所述边板与隔板之间通过若干连板连为一体、且相邻所述隔板之间通过若干连板连为一体。具有使用方式极为简单、高效的特点。具有加工方式简单、成本低廉的特点。

芯片清洗提升机构

专利类型：实用新型法律状态：

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芯片清洗提升机构。提供了一种结构简单，便于操作，提高芯片表面镀镍均匀性的芯片清洗提升机构。所述芯片放置在芯片舟内，所述芯片舟放置在石英缸内；所述提升机构包括提篮、一对安装座和气源，所述芯片舟设在所述提篮内；所述提篮包括本体和一对提板，所述一对提板水平设在所述本体两侧顶边的上沿，所述提板上设有一气孔一，所述提板的底面设有一对导柱，所述气孔一设在所述一对导柱的中间。本实用新型使芯片表面镀层更加均匀，提高了芯片的可靠性。

新型轴向二极管

专利类型：实用新型法律状态：

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新型轴向二极管。涉及轴向二极管领域。提出了一种结构稳定、加工成本低且使用效果好，在后续使用时可大幅降低对芯片端面应力损伤的新型轴向二极管。从上到下依次包括同轴心的正电极、芯片、玻璃杯和负电极；所述正电极从上到下包括连为一体的引线一、本体一、连接体一和球头一，所述球头一的底面呈球面状，所述连接体一呈倒圆台状、且连接体一的侧表面呈向上凹陷的弧面状；所述负电极从下到上包括连为一体的引线二、本体二、连接体二和球头二，所述球头二的顶面呈球面状，所述连接体二呈圆台状、且连接体二的侧表面呈向下凹陷的弧面状。本实用新型结构稳定、加工成本低且使用效果好。

氮气吹扫装置

专利类型：实用新型法律状态：

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氮气吹扫装置。涉及用于氮气吹扫的专用装置领域。提出了一种结构精巧、使用方式简便、易于转运且易于固定，使用时可根据现场情况对氮气的吹出位置及吹出角度做出方便的调整的氮气吹扫装置。包括氮气源、固定座、竹节蛇形管和喷头，所述固定座包括顶座、夹板、磁力座和若干安装螺栓；所述顶座上还开设有沿水平方向设置的阶梯孔，所述阶梯孔包括大孔和小孔，所述大孔连通所述氮气源，所述小孔通过所述竹节蛇形管连通所述喷头。具有结构精巧、使用方式简便的特点。

一种二极管酸处理后的震荡冲洗装置

专利类型：发明专利法律状态：

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一种二极管酸处理后的震荡冲洗装置。涉及一种OJ（Open?Junction）二极管酸处理后的去离子水震荡冲洗装置。提供了一种同步导入高频震荡，使得二极管产生震动和轴向转动，达到有效冲洗死角的二极管酸处理后的震荡冲洗装置。所述二极管酸处理后设置在酸洗盘上，所述震荡冲洗装置包括底座、冲洗头、水槽和震荡装置，所述酸洗盘设在所述水槽上，所述冲洗头设在所述酸洗盘上方；所述震荡装置设在所述水槽的一侧，所述震荡装置包括振子、支架和弹簧，所述振子设在所述支架上部中间位置。本发明结构简单、制造成本低，振动、冲洗效果明显。

一种轴向二极管的分离装置

专利类型：发明专利法律状态：

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一种轴向二极管的分离装置。提供了一种结构简单，能够快速检测并实现分离的轴向二极管的分离装置。轴向二极管包括二极管本体和设在二极管本体两端的一对引线，轴向二极管通过一对引线连接在两条平行的输送链条上，输送链条设在工作台上；分离装置设在工作台上、且位于两条所述输送链条之间；分离装置包括连为一体的限位固定座和分离座，限位固定座位于分离座的前端；限位固定座的顶面中心设有与输送链条平行的导向槽，分离座的顶面中心设有上大下小且与导向槽连通的阶梯槽，分离座大阶梯槽的槽宽≤所述导向槽的槽宽；分离座的出料端设有用于容置一对引线的容置槽。本发明结构精巧，大大提高分离效率，降低了企业的生产成本。

改进型超薄贴片二极管

专利类型：实用新型法律状态：

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改进型超薄贴片二极管。提供了一种改进型超薄贴片二极管，提高引线与封装体之间的连接强度，进而能有效避免引线承受偏载时，易与封装体剥离的问题。包括芯片、引线一、封装体和引线二，所述封装体将所述芯片封闭地连接在所述引线一和引线二的顶面上，还包括引线封装体强化连接结构。本实用新型结构简单，设计合理，在保留原有超薄贴片二极管结构紧凑，产品体积较小较薄，散热效果好的前提下，通过增加封装后背，或在增加封装后背的基础上增设横槽或纵槽，或改进引线结构，形成加强角，最终达到增加引线与封装体的连接强度，有效的解决了引线与封装体剥落的问题，提升了产品质量，保证了产品的寿命。

一种肖特基半导体元件的检测方法

专利类型：发明专利法律状态：

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一种肖特基半导体元件的检测方法。涉及对肖特基半导体元件电性能的检测方法。提供了一种能够自动实现优劣判断，进而提高产品质量检验效率及检验精度的肖特基半导体元件的检测方法。本发明的方法按以下步骤进行：1）、测合格品比较值；2）、测不不合格品比较值；3）、对被检测品进行检测；4）、比较被测品因变量D和合格品应变量d，D＜d时为合格品，其余为不合格品。本发明首先利用合格品测定合格比较值，即合格应变量；然后利用不合格品测定异常曲线上线点；最后，对批量产品进行伏安特性检测，获得多个电压数值，对多个电压数值进行应变量计算，取其中最大应变量与合格应变量进行比较；最终判断产品合格与否。

二极管跳线

专利类型：实用新型法律状态：

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二极管跳线。提供了一种结构简单，提高了工作效率的二极管跳线。所述跳线本体为片状；所述片状本体上设有缺口；所述片状本体包括工作部一、连接部和工作部二，所述工作部一和工作部二通过所述连接部相连、且位于所述连接部的同侧。本实用新型在跳线本体上开设缺口，在工作中，跳线筛盘根据不对称的跳线进行加工，这样只有符合要求的跳线放入筛盘中，避免了人工进行翻转，提高了工作效率，避免了不良品，保证了产品的质量。

助焊剂涂刷装置

专利类型：实用新型法律状态：

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焊剂涂刷装置。提供了一种提高洁净度、避免杂质，提高半导体器件可靠性的助焊剂涂刷装置。包括用于盛放助焊剂的容器和泡棉，所述泡棉设在所述容器内；还包括隔板，所述隔板设在所述容器内、且位于所述泡棉的下方。本实用新型在现有助焊剂容器（容器呈透明状）内设置了一块隔板，并在顶板上开设若干通孔，在工作中，要求加到容器内的助焊剂量超过隔板高度，且低于泡棉的顶部（可根据使用量来确定泡棉的厚度）；由于隔板将泡棉顶起，可以清楚观察助焊剂的余量，颜色是否混浊；同时容器内的杂质通过隔板上的通孔沉积在底部，避免了杂质沾到毛刷上，提高了毛刷的洁净度。本实用新型方便实用，可靠性高。

GPP芯片的预焊治具

专利类型：实用新型法律状态：

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PP芯片的预焊治具。提供了一种结构精巧、操作方式简便、工作效率高且对芯片无损伤，在芯片装入时可实现芯片统一分向的GPP芯片的预焊治具。GPP芯片依次包括小铜粒、小焊片、芯片、大焊片和大铜粒；预焊治具包括预焊模、预焊模盖、小铜粒筛盘、芯片筛盘、大铜粒筛盘和负压源；预焊模的顶面上开设有若干芯片焊槽和若干定位孔，芯片焊槽的槽底开设有小铜粒焊槽；本实用新型中利用上述分向原理加上其真空吸附原理，可在有效避免人工夹取对芯片造成的损伤并大幅的提高工作效率和加工效果的前提下，有效的使得所有芯片容置槽中的芯片均为一直的P面朝上，并在“倒置”之后使得所有芯片均P面朝下落入预焊模中的芯片焊槽中。

方桥的灌胶装置

专利类型：实用新型法律状态：

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桥的灌胶装置。结构简单、操作方便、加工效率高且加工精度高。从上到下包括一定位盖板、至少一对等高块和一定位底板，定位底板的顶面上开设有若干用于容置胶壳的定位槽，定位盖板上开设有若干用于容置桥芯的定位孔，定位孔位于定位槽上方；等高块的底面上设有至少一个定位柱二、且顶面上设有至少一个定位柱一，定位底板的顶面上开设有若干与定位柱二适配的定位槽二，定位盖板的底面上开设有若干与定位柱一适配的定位槽一。本实用新型使用时，由于定位盖板为一整体结构，有效解决了传统工艺中每个材料的套上、去除定位卡的步骤繁琐、生产周期长的缺陷，并大幅提高了桥芯的位置精度，从而大幅提升了方桥在灌胶时的加工效率和加工精度。

组合式框架

专利类型：实用新型法律状态：

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组合式框架。结构简单，有效降低生产成本，提高工作效率。包括框架A和框架B；所述框架A包括一对主筋、一副筋和若干脚架A，所述副筋设在一对所述主筋之间，若干脚架A均布设在所述副筋的两侧；所述框架B包括一对主筋、副筋一、副筋二和若干脚架B，所述副筋一和副筋二相平行、且设在一对所述主筋之间。本实用新型改进了框架A和框架B上副筋和脚架的布置方式，将框架A上的脚架设置在副筋的两侧，减少了一副筋；同时，将框架B上的脚架相对设置在副筋上，最终实现框架A上的脚架和框架B上的脚架相对应；然后再进行加工，制得产品。本实用新型降低了产品的物料成本，降低了30%的成本，提高了50%的生产效率。

方形整流桥

专利类型：实用新型法律状态：

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方形整流桥。提供了一种组配时定位精确，提高产品质量稳定性的方形整流桥。包括具有顶面敞口的胶壳；所述胶壳的侧面的内壁上分别设有定位横梁，所述定位横梁上设有芯片让位凹槽。本实用新型通过对胶壳的改进实现对方形整流桥灌胶方式的改进，通过在灌胶时将半成品直接放入胶壳定位横梁内，使半成品与胶壳紧密配合，以达到灌胶定位的目的，大大提高了定位精度；同时设计了芯片让位凹槽，避免了芯片碰到胶壳造成损伤，提高了产品质量和良品率。本实用新型操作方便，无需再用外部定位卡，节省了作业时间，降低工人的劳动强度。

CELL装填治具

专利类型：实用新型法律状态：

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CELL装填治具。结构简单、使用方便、工作效率高且可有效避免损伤CELL。CELL包括铜片、芯片和焊片，装填治具包括预焊模、转换模、真空吸笔和焊接模；预焊模上开设有若干容置槽、若干定位孔一和若干定位孔二；转换模上开设有若干与芯片槽位置对应的转换槽、若干与定位孔一位置对应的定位销一和若干定位孔三；焊接模上开设有若干正极芯片槽、若干负极芯片槽和若干定位孔四；真空吸笔包括若干笔头和若干定位销二。本案通过真空负压可将CELL准确、无伤的吸起并放入焊接模中对应的正、负极芯片槽中。用真空吸笔代替人工操作，大幅的提升了加工效率，并有效的避免的对CELL的夹持损伤。

一种GPP芯片的预焊治具及其使用方法

专利类型：发明专利法律状态：

详细信息：

一种GPP芯片的预焊治具及其使用方法。提供了一种结构精巧、操作方式简便、对芯片无损伤，在芯片装入时可实现芯片统一分向的GPP芯片的预焊治具及其使用方法。GPP芯片依次包括小铜粒、小焊片、芯片、大焊片和大铜粒；预焊治具包括预焊模、预焊模盖、小铜粒筛盘、芯片筛盘、大铜粒筛盘和负压源；预焊模的顶面上开设有若干芯片焊槽和若干定位孔，芯片槽的槽底开设有小铜粒焊槽；本发明中利用上述分向原理加上其真空吸附原理，可在有效避免人工夹取对芯片造成的损伤并大幅的提高工作效率和加工效果的前提下，有效的使得所有芯片容置槽中的芯片均为一直的P面朝上，并在“倒置”之后使得所有芯片均P面朝下落入预焊模中的芯片焊槽中。

风冷式电子产品烘干炉

专利类型：实用新型法律状态：

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风冷式电子产品烘干炉。涉及电子产品的烘干炉。结构简单，成本低，可在炉内使电子产品快速均匀降温。烘干炉内设有传送装置，烘干炉与传输装置之间均布有若干加热器；在传送装置尾部的外围设有冷却区，冷却区包括冷却壳体、轴流风机、进风口和出风口；进风口位于冷却壳体的尾端、处于传送装置出口的下方；出风口位于冷却壳体的顶部；风机连接进风口；加热器与冷却壳体设有隔离挡板。本实用新型在使用时，轴流风机能够从外部持续不断的吸入冷却风，冷却风按所述螺旋导风板的导向走，使得电子产品的温度速均匀下降，大幅提高了加工时的工作效率，避免了操作时的安全隐患。

一种适用于轻、薄片形元器件的提放吸嘴

专利类型：发明专利法律状态：

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一种适用于轻、薄片形元器件的提放吸嘴。涉及对片式半导体芯片进行精确拾取、移动、定位、放置的吸取装置。提供了一种结构更为简洁，不损伤芯片，能实现精确位置放置的适用于轻、薄片形元器件的提放吸嘴。包括柔性吸嘴、缸体、活塞、柔性推针和负压源；柔性吸嘴上开设有联通缸体内腔的通孔；柔性推针设置在通孔内，柔性推针的顶端固定连接在活塞的底部；缸体的顶面设有联通负压源的气孔；活塞的顶面上开设有至少一条使缸体内腔联通气孔的凹槽。本发明的吸嘴在无需另加控制的情况下，将芯片放置在没有粘附辅助措施的精确位置；实用性强，可靠性高，尤其适应微小薄形芯片的精确拾取、移动、定位、放置工序。

刮胶专用铲

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

刮胶专用铲。提供了一种结构简单，有效提高锡膏搅拌均匀性的刮板专用铲。包括连为一体的片状铲头和铲柄，所述铲头的头部设有若干通孔。所述通孔的直径为2-5mm。本实用新型在铲头的头部设置若干通孔，方便了作业人员在粘胶盘中直接刮胶，同时达到搅拌的效果，使得锡膏更加均匀，提高了焊接效果。本实用新型方便操作、节省了工作时间。

轴向二极管的分离装置

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

轴向二极管的分离装置。提供了一种结构简单，能够快速检测并实现分离的轴向二极管的分离装置。轴向二极管包括二极管本体和设在二极管本体两端的一对引线，轴向二极管通过一对引线连接在两条平行的输送链条上，输送链条设在工作台上；分离装置设在工作台上、且位于两条所述输送链条之间；分离装置包括连为一体的限位固定座和分离座，限位固定座位于分离座的前端；限位固定座的顶面中心设有与输送链条平行的导向槽，分离座的顶面中心设有上大下小且与导向槽连通的阶梯槽，分离座大阶梯槽的槽宽≤所述导向槽的槽宽；分离座的出料端设有用于容置一对引线的容置槽。本实用新型结构精巧，大大提高分离效率，降低了企业的生产成本。

新型跳线

专利类型：实用新型法律状态：

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新型跳线。提供了一种结构简单，提高跳线可靠性且有效避免芯片沾污的新型跳线。所述跳线本体为片状，所述片状本体包括工作部一和工作部二，所述工作部一与工作部二所在平面相平行，所述工作部一的表面贴合芯片；所述工作部一的面积≥所述工作部二的面积。所述工作部一的表面中心设有凸台。本实用新型增加了跳线对芯片的覆盖面积（即工作部一的面积），改善了小尺寸跳线与大尺寸芯片之间的焊接面积，降低应力，同时减少了芯片沾污面积，降低了材料失效比例，提高了材料的稳定性。同时在工作部一上设置凸台，既保证了焊接面，又使得焊接聚集在凸台周围，保证锡层的铺张，减少了焊接应力。本实用新型提高了产品的可靠性。

组合式超薄二极管

专利类型：实用新型法律状态：

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组合式超薄二极管。适合太阳能发电系统接线盒应用，成本低、结构紧凑、散热热阻小、可靠性高、组装方便且可以适应客户配套设计不同结构、不同工艺终端产品。包括正极引出端子、二极管本体和负极引出端子，二极管本体至少有两只、且相互串联连接，正极引出端子连接首个二极管本体的正极端，负极引出端子连接末个二极管本体的负极端。本实用新型的组合式超薄二极管改进了现有技术中单个二极管逐个进行连接固定的形式，将二极管进行组合，使得安装简单，提高了加工的效率。本实用新型可以采用多种应用安装方法，可以采用插压接，回流焊接、铆接和电阻焊接，适合的安装结构和方法可以大幅度降低客户的生产成本且提高产品的竞争性。

组合式超薄二极管的插接结构

专利类型：实用新型法律状态：

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组合式超薄二极管的插接结构。提供了一种结构紧凑、连接方便，成组生产加工的组合式超薄二极管的插接结构。组合式超薄二极管由至少两只二极管单体串接而成，至少两只二极管单体之间采用片式导电端子相连；组合式超薄二极管设在具有接线盒内部基板的太阳能组件上，使得各二极管单体分别通过接线盒内部基板与太阳能组件中的电池片组并联；接线盒内部基板与组合式超薄二极管是通过插接结构相连的。本实用新型将二极管进行组合式连接，有利于实现整体控制，连接方便、降低了劳动时间；在对组合式连接时，通过对基板上设置插槽，通过在插槽中设置插接结构，如弹性金属片、凸块，实现对端子的固定连接作用。本实用新型结构简单、操作方便。

新型二极管测试座

专利类型：实用新型法律状态：

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新型二极管测试座。结构简单、使用方便且操作难度低，在二极管成型后也可进行方便的测量。包括座体、一对夹具和若干测试引脚，若干所述测试引脚固定连接在座体上，所述夹具包括夹片一和夹片二、且所述夹片一和所述夹片二通过柔性导线分别连接在两所述测试引脚上；所述座体内开设有一对滑动导轨，使得所述夹片一和所述夹片二通过所述滑动导轨与所述座体滑动连接。本实用新型可根据二级管形状尺寸的不同，对一对夹具的位置做出相应的改变，使得成型前或成型后的二极管可方便的插入到测试座上进行测试，操作起来十分简单、方便。此外，由于本实用新型中一对夹具的位置可调，因此也可对本领域中新推出的GF004型二极管做出方便的测试。

新型光伏二极管集成模块

专利类型：实用新型法律状态：

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新型光伏二极管集成模块。结构简单、使用方便且操作难度低，从而有效降低废品率。包括外壳本体、若干用于容置芯片的散热铜板、若干汇流带焊接引脚和若干电缆线安装引脚；外壳本体的顶面上开设有流胶通孔；若干散热铜板设在外壳本体内、且依次串接；汇流带焊接引脚和电缆线安装引脚分别连接在散热铜板上。本实用新型具有的优势：1）将多个二极管整合到同一个模块中，采用连体框架、跳线的方式进行焊接，然后再进行封装，从而降低了其封装难度，操作方法十分简便；2）可以配合不同的接线盒开发不同外形的光伏模块，便于安装，从而减少了焊接对二极管的影响，有效的解决了废品率高的问题；3）提高安装时的加工生产效率，降低生产成本。

新型焊接模

专利类型：实用新型法律状态：

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本实用新型提供了一种结构简单，降低了芯片在焊接过程中发生旋转的现象，提高了芯片焊接可靠性的新型焊接模。所述焊接模包括上模和下模，所述上、下模呈板状，所述下模表面设有若干用于放置框架组件的容置槽，所述框架组件由多个水平并排设置的若干个框架单元组成；所述容置槽的高度≥所述框架单元的高度；所述上模与下模设有若干对应的气孔；所述上模和下模相适配、且所述上模可拆卸连接在所述下模的表面。本实用新型采用石墨材质制成焊接模，气体通过气孔流通，均匀保护焊点，使得焊点更加稳定、焊接面更加水平、平稳，氮、氢气保护更加均匀，最终起到了降低芯片旋转比例和幅度。本实用新型操作简便，可靠性高。

轴向二极管引线装填用组合导模

专利类型：实用新型法律状态：

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轴向二极管引线装填用组合导模。提供了一种结构简单，轻便、方便操作，有效提高使用寿命的轴向二极管引线装填用组合导模。所述组合导模设在引线排向机上，所述组合导模包括内层导模和外层导模，所述内层导模设在所述外层导模内，所述内层导模为亚克力板，所述外层导模为金属板。本实用新型改进了现有技术中的导模，将单一材质导模改进成内层导模和外层导模相互配合的组合导模；内层导模采用亚克力板，外层导模采用金属板，两者相结合克服了单一亚克力材质脆、易崩裂和不耐磨损的问题，同时克服了单一金属材质偏重，操作困难的问题；两者可拆卸连接，便于更换，方便实用。本实用新型结构简便，提高了使用寿命。

一种轴向二极管的分离装置

专利类型：发明专利法律状态：

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一种轴向二极管的分离装置。提供了一种结构简单，能够快速检测并实现分离的轴向二极管的分离装置。轴向二极管包括二极管本体和设在二极管本体两端的一对引线，轴向二极管通过一对引线连接在两条平行的输送链条上，输送链条设在工作台上；分离装置设在工作台上、且位于两条所述输送链条之间；分离装置包括连为一体的限位固定座和分离座，限位固定座位于分离座的前端；限位固定座的顶面中心设有与输送链条平行的导向槽，分离座的顶面中心设有上大下小且与导向槽连通的阶梯槽，分离座大阶梯槽的槽宽≤所述导向槽的槽宽；分离座的出料端设有用于容置一对引线的容置槽。本发明结构精巧，大大提高分离效率，降低了企业的生产成本。

同向阵列式整流桥堆

专利类型：实用新型法律状态：

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同向阵列式整流桥堆。提供了一种结构紧凑，整体布局更加合理，进而有效降低产品体积和成本的同向阵列式整流桥堆。包括芯片一~四、框架一~四和跳线一~四，所述框架一~四由各自的本体和引脚构成，四只所述的框架呈对侧布局，其中所述框架一和框架三的本体呈矩形，相互之间保持绝缘距离、处于所述对侧布局的一侧；所述框架二和框架四的本体呈C形，相互之间呈咬合位置关系、且保持绝缘距离、处于所述对侧布局的另一侧；所述芯片一布设在所述框架一本体的正面，所述芯片二和芯片四分别布设在所述框架四本体的正面，所述芯片三布设在所述框架三本体的正面，所述芯片一~四的极性朝向一致。本实用新型中的产品质量稳定，成本大幅度降低。

二极管芯片的跳线

专利类型：实用新型法律状态：

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二极管芯片的跳线。提供了一种结构简单，连接可靠性高的二极管跳线。其本体为片状，一端为工作面一、另一端为工作面二，在工作面一和工作面二之间设有段差面。所述段差面上设有通孔。所述工作面一和工作面二向所述本体的同侧倾斜、且与所述本体之间的夹角为0.5°-2.5°。本实用新型中的二极管跳线改进了现有技术中段差面的结构，在二极管跳线的一端通过模具冲出段差面，提升了产品结构、良率稳定；同时在段差面上开设通孔，可以聚集焊锡，防止过多的焊锡四周漫溢，提高产品质量稳定。本实用新型中的跳线性能得到很大改善，可靠性高。

一种同向阵列式整流桥堆

专利类型：发明专利法律状态：

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一种同向阵列式整流桥堆。提供了一种结构紧凑，整体布局更加合理，进而有效降低产品体积和成本的同向阵列式整流桥堆。包括芯片一~四、框架一~四和跳线一~四，所述框架一~四由各自的本体和引脚构成，四只所述的框架呈对侧布局，其中所述框架一和框架三的本体呈矩形，相互之间保持绝缘距离、处于所述对侧布局的一侧；所述框架二和框架四的本体呈C形，相互之间呈咬合位置关系、且保持绝缘距离、处于所述对侧布局的另一侧；所述芯片一布设在所述框架一本体的正面，所述芯片二和芯片四分别布设在所述框架四本体的正面，所述芯片三布设在所述框架三本体的正面，所述芯片一~四的极性朝向一致。本发明中的产品质量稳定，成本大幅度降低。

一种芯片焊接装置

专利类型：发明专利法律状态：

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一种芯片焊接装置。涉及对芯片焊接装置的改进。提供了一种改善焊接质量，确保焊接牢靠的芯片焊接装置。包括吸盘和石墨船，所述石墨船上设有放置引线的引线孔，还包括用于将所述引线抬升的垫板，所述石墨船的底部两侧设有支脚；所述垫板放置在所述石墨船的底部，且位于所述两侧支脚之间。本发明在原有结构的基础上增加了垫板，还提供了一种筛选芯片的方式，即下模的芯片采用已刷好的焊油来粘住并将其定位，利用垫板将引线顶起，用吸盘将筛好的芯片扣到石墨船上，然后在取走吸盘和垫板，芯片随着焊油的粘性与引线一起下落，保证芯片粘在钉头的中央。本发明有效的减少不牢固的现象，降低了断料率，节约了原材料，提高了成品率。

一种单相整流桥堆

专利类型：发明专利法律状态：

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一种单相整流桥堆。涉及对单相二极管整流桥堆结构的改进。提供了一种能提高散热效果，且能减轻劳动强度的单相整流桥堆。包括封装体、框架一~四和四只芯片，框架二朝向框架一的锐角角部、框架三的两个锐角角部以及框架四朝向框架一的锐角角部分别朝向设置引脚的方向折弯出于各框架本体平行的段差面；四只芯片的N面分别焊接在框架一的两锐角角部平面、框架二朝向框架三的锐角角部平面和框架四朝向框架三的锐角角部平面上。本发明使所有芯片朝向一致地设置在产品中，构成整流回路。由于所有大面（N面）朝向顶部散热面，使得产品的散热效果得到提高。并且单一表面的放置，对于操作者来说无需进行仔细的分辨，能大大减轻操作者的劳动强度。

一种三相整流桥堆

专利类型：发明专利法律状态：

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一种三相整流桥堆。涉及对三相整流桥堆结构的改进。提供了一种生产方便、成本低廉，且整体呈片状的三相整流桥堆。包括二极管芯片一~六、具有引脚的框架一~五、封装体和六只跳线，所述具有引脚的框架一~五为片状、且布设在同一平面上；所述框架一~五上的引脚与所述框架本体处于同一平面上。本发明采用一次冲切的框架片、跳线与芯片焊接相连，将焊接好的半成品放在成型模具内采用塑封一次性的环氧塑封料压塑成型，工艺先进，操作简单极大地提高了劳动生产效率和产品质量。采用塑封一体成型，稳定性和绝缘性效果更佳，散热面积大，散热均匀，散热效果更好，机械强度高。此外，成品呈片状，能适合安装空间窄小的使用环境。

一种二极管芯体的清洗工艺

专利类型：发明专利法律状态：

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一种二极管芯体的清洗工艺。涉及对二极管芯体清洗工艺的改进。提供了一种能最大限度降低环境对电子器件造成污染的二极管芯体的清洗工艺。包括纯水超声清洗、异丙醇超声清洗、转换和烘干工序，在所述纯水超声清洗后，还设有脱纯水工序；在所述异丙醇超声清洗后，还设有脱异丙醇工序。本发明在异丙醇超声清洗前后分别增加离心机脱水装置。异丙醇超声清洗前的离心机脱水，是消除液态水在治具以及电子器件的附着，降低去离子水对异丙醇的污染，延长异丙醇使用周期，实现成本节约。异丙醇超声清洗后的离心机脱水，是消除液态异丙醇在治具及电子器件的附着，降低降低对空气杂质的吸附能力。

一种离心机

专利类型：发明专利法律状态：

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一种离心机。涉及对二极管清洗工艺中进行脱液的离心机。提供了一种脱液效率高，能避免损坏产品的离心机。包括桶体，在所述桶体内设有脱水支架，所述脱水支架包括至少三根立柱、使立柱相互连接为一整体的连杆以及工件承载板；所述工作承载板呈板状；所述立柱的侧面沿立柱的长度方向开设有凹槽，相邻立柱之间的凹槽相对应，使得所述工作承载板能够插入到相邻立柱之间的凹槽内。本发明的工作承载板可以将若干尺寸较小的二极管芯体整齐、朝向一致地码放在其中；利用立柱之间的凹槽作为工件承载板的放置槽，能将工件承载板固定在桶体内部。在桶体转动时，工件承载板能稳妥地固定在桶内的弦线方向，具有较高的脱液效率。

一种芯片点反装置

专利类型：发明专利法律状态：

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一种芯片点反装置。涉及对芯片在加工过程中的点反操作进行改进的装置。提供了一种可以直接在石墨船的下模中将芯片取走的简单、实用的芯片点反装置。包括具有支脚的石墨船，在石墨船表面开设有若干垂直贯穿所述石墨船本体的引线孔，还包括活动垫板，所述活动垫板设于所述石墨船本体的下部；所述活动垫板的两端设斜坡，在所述活动垫板表面开设有若干道引线导料槽；所述引线导料槽与所述引线孔的位置对应，使得所述引线穿出所述引线孔后的底面能置于所述引线导料槽内。在石墨船下部增加了活动垫板，且在活动垫板上设置了引线导料槽，使得引线能够伴随着垫板的左右移动而上下运动，保证了芯片可以焊接在钉头中央，提高了工作效率，提高了成品率。

一种灌封单相扁形整流桥堆

专利类型：发明专利法律状态：

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一种灌封单相扁形整流桥堆。涉及对灌封单相扁形整流桥堆结构的改进。提供了一种组配时定位精确，进而能提高产品质量稳定性的灌封单相扁形整流桥堆。包括扁平形状的胶壳、引线一~四和四粒片式二极管芯片，所述扁平形状的胶壳中空、且其四个侧面中的一个侧面敞口，所述胶壳敞口面的两相邻侧面上分别开设有定位凹槽。本发明的胶壳内设置了能够定位桥式整流电路总成的定位“插槽”；再将引线、芯片加工成桥式整流电路总成；然后插入前述“定位插槽”内，最后进行灌封。本发明结构的产品能采用一次性灌胶，散热性好，提高了产品质量；生产效率比传统工艺提高3倍；芯片直接焊接，无需增加小线路板，整个成本上节约20~30%。

一种矮本体整流桥堆

专利类型：发明专利法律状态：

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一种矮本体整流桥堆。涉及对整流桥堆结构的改进。提供了一种能降低产品整体高度的矮本体整流桥堆。包括设置在封装体内部的具有纵向引脚的框架一~四、芯片一~四和跳线一~四，所述跳线一~四在所述封装体内部以横向方向设置。本发明将原有竖放跳线调整为横放，把芯片与跳线的一端相连另外一端与框架相连，保持原整流能力不变，实现产品本体变矮。进而减小产品高度，降低成本（减少了封装体材料及框架材料利用），满足客户需求。本发明通过调整内部布局，实现跳线横向放置，本体高度成功减少34%。

一种氮气保护的二极管焊接工艺

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一种氮气保护的二极管焊接工艺。涉及对二极管焊接工艺的改进。提供了一种能避免保护气体对工件产生温度冲击的氮气保护的二极管焊接工艺。所述焊接过程在隧道炉内进行，在焊接时，往所述隧道炉内通入氮气，所述氮气进入所述隧道炉时的温度为150-180℃，流量为25m3/h。所述炉内压力保持在0.101325MPa。本发明通过对氮气作加热处理后输入隧道炉内部，减少常温氮气对炉内焊接空间的温度分布产生扰动，使焊接空间的温度均匀、一致和稳定，改善焊料在电极和芯片之间的湿润性。

一种二极管弧形极片的转运装置

专利类型：发明专利法律状态：

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一种二极管弧形极片的转运装置。涉及贴片式功率二极管弧形极片的专用转换装置。提供了一种能满足批量生产需求的二极管弧形极片的转运装置。所述弧形极片的两端分别设有相互平行的连接面和引出面，转运装置包括极片筛盘、极片转换模和抽板；筛盘的正面开设有若干排位槽，弧形极片的连接面和引出面朝下地放置在所述排位槽内，排位槽的槽底分别设有连通所述筛盘背面的气孔，筛盘正面的两侧边分别设有定位孔；转换模的正面开设有若干定位槽，弧形极片的连接面和引出面朝上地放置在定位槽内，转换模正面的两侧边分别设有与所述筛盘上定位孔适配的定位销。本发明大大提高了该贴片式二极管的加工效率，降低了劳动强度。

一种整流桥堆的封装体

专利类型：发明专利法律状态：

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一种整流桥堆的封装体。涉及对整流桥堆封装体结构的改进。提供了一种延长爬电距离，进而能满足高绝缘性要求的整流桥堆的封装体。所述封装体本体的背面为散热面，所述封装体伸出所述整流桥堆引脚的一面为底面，在所述底面上从所述引脚根部至所述背面底边线的部分为阶梯面。本发明将封装体底面的后部分（从引脚根部至背面底边线的部分）改进为阶梯面，从截面上看相当于将从引脚根部至背面底边线之间的距离延长了，换句话说也就延长了“爬电路径”，在同样使用环境中，能大大提高产品的耐压等级，增加绝缘性能。

一种拾取芯片装置

专利类型：发明专利法律状态：

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一种拾取芯片装置。涉及芯片的拾取装置。提供了一种结构简便，提高工作效率的拾取芯片的装置。包括固晶臂、随动臂、转轴、绷框和绷框架，所述固晶臂头部设有吸嘴，所述随动臂头部设有顶针，所述固晶臂尾部和所述随动臂尾部通过所述转轴连接，所述固晶臂位于所述随动臂上方；所述绷框上绷放有放置芯片的蓝膜，所述绷框设在所述绷框架上，位于所述吸嘴和所述顶针之间。本发明采用摆臂式设备将芯片逐个拾取到石墨船中，提高了工作效率，在工作中顶针与吸嘴同轴心设置和同步运动，保证了芯片在上升过程中不会发生倾斜。本发明不仅提高了工作效率，还保证了材料的质量，适用性较广。

一种三角跳线

专利类型：发明专利法律状态：

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一种三角跳线。涉及对三角跳线的改进。提供了一种结构简单，且跳线性能得到很大改善的三角跳线。所述三角跳线本体为片状，所述片状本体开设有至少一个通孔。所述本体包括工作部一、工作部二和工作部三，所述工作部二和工作部三处于同一平面，所述工作部一与所述同一平面平行。本发明简化了以往三角跳线的结构，在三角跳线上增加通孔，其在黑胶和跳线在凝合的过程中，增加了黑胶流动路径，加快了黑胶流动速度，使得内部黑胶密度更加均匀，跳线的结构强度增强，提高了产品的性能。将跳线工作部一设为平面，加大了跳线与芯片表面的接触面积，减少了压强，同时降低了焊接和塑封时产生的应力，使两者之间连接更牢固、可靠。

一种高压二极管组装治具及其操作方法

专利类型：发明专利法律状态：

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一种高压二极管组装治具及其操作方法。涉及一种高压二极管芯片的专用组装治具及其操作方法。提供了一种能批量化整理芯片，且操作方便的高压二极管组装治具及其操作方法。包括芯片吸盘和转换板，所述转换板包括基板和盖板，所述盖板固定连接在所述基板作为工作面的顶面上，所述盖板面积小于所述基板顶面面积，使得所述基板的顶面留有外露的工作面部分；所述盖板与基板之间留有间隙，所述间隙的开口朝向所述外露的工作面部分；所述间隙的高度小于所述芯片的宽度及长度。本发明的操作方法步骤：1）灌装；2）连接芯片吸盘；3）转换；4）退料。本发明的治具具有良好的可操作性，便于组装、清洁，体积小，重量轻，易于实现连续生产作业。

超薄桥堆

专利类型：实用新型法律状态：

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本实用新型涉及超薄桥堆结构的改进。提出了一种可防止塑封黑胶反包裹的超薄桥堆。包括铜底板和封装体，所述铜底板固定连接在所述封装体的背面；在所述铜底板下部的两侧分别设有侧突起，所述封装体的侧面对应所述两侧的侧突起分别设有侧槽一和侧槽二。所述侧槽一和侧槽二槽底之间的距离为t，所述两个侧突起的外边缘相互间距离为h，所述的t<h。本案在顶部设置顶槽，与两侧槽间形成三点压平的效果，使得铜底板在封装体背面平整、服帖。本实用新型结构简单，彻底解决了黑胶反包裹现象，增加了铜材裸露的表面积，提高了散热性能和电性能。

二极管芯片跳线

专利类型：实用新型法律状态：

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二极管芯片跳线。涉及对跳线结构的改进。提供了一种工艺简单，便于生产、使用的超薄化的二极管芯片跳线。所述跳线包括连为一体的本体和两个连接端头，所述二极管芯片的台面周围设有一圈突出于台面的保护层，所述台面与所述保护层最顶缘的高度差为e，所述两个连接端头的厚度大于所述本体的厚度，使得所述连接端头的正、反两工作面分别突出于所述本体，凸出量为h，所述h≥e。本实用新型通过改变跳线铜片制作方法，使得所述跳线有以下技术效果，一是所述跳线连接端头正、反两面都可以使用，提高工作效率；二是工艺简单，只需将铜片中间部分压扁，使得两端端头的工作面都在一个平面上，且轴对称；使用起来整齐、平整、稳定。

二极管酸处理后的震荡冲洗装置

专利类型：实用新型法律状态：

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二极管酸处理后的震荡冲洗装置。涉及一种OJ（Open?Junction）二极管酸处理后的去离子水震荡冲洗装置。提供了一种同步导入高频震荡，使得二极管产生震动和轴向转动，达到有效冲洗死角的二极管酸处理后的震荡冲洗装置。所述二极管酸处理后设置在酸洗盘上，所述震荡冲洗装置包括底座、冲洗头、水槽和震荡装置，所述酸洗盘设在所述水槽上，所述冲洗头设在所述酸洗盘上方；所述震荡装置设在所述水槽的一侧，所述震荡装置包括振子、支架和弹簧，所述振子设在所述支架上部中间位置。本实用新型结构简单、制造成本低，振动、冲洗效果明显。

三相整流模块

专利类型：实用新型法律状态：

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三相整流模块。涉及对三相整流模块的改进。提供了一种集成度高、体积小、低功耗，有效降低生产成本的三相整流模块。包括交流引线、直流引线、跳线、六只芯片、导热陶瓷覆铜板和底板，在所述导热陶瓷覆铜板的背面全部镀覆有连接铜层，所述连接铜层与所述底板焊接相连；在所述导热陶瓷覆铜板的正面镀覆有正极层、负极层和三个交流层；所述六只芯片中的三只焊接在所述正极层上、另外三只分别焊接在所述三个交流层上，所述六只芯片同极向；所述长跳线的一端连接所述正极层上的芯片、另一端连接交流层；所述短跳线的一端连接交流层上的芯片、另一端连接负极层。本实用新型与传统方法生产的产品相比体积可减小40%，热阻可降低30%。

新型整流桥

专利类型：实用新型法律状态：

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新型整流桥。涉及对整流桥结构的改进。提供了一种使装填工序操作简便，提升整体散热效果的新型整流桥。包括芯片一~四、正极引线、负极引线、交流引线一、交流引线二和封装体，还包括跳线一~三；所述芯片一和芯片二的负极面固定连接在所述正极引线表面上，所述芯片三的负极面固定连接在所述交流引线一上，所述芯片四的负极面固定连接在所述交流引线二上；所述跳线一连接所述芯片一的正极面和正极引线一；所述跳线二连接所述芯片三、芯片四的正极面和负极引线；所述跳线三连接所述芯片二正极面和交流引线二。本实用新型通过对引线结构的改进和跳线数量的调整，使得整流桥内的四个芯片朝向一致。能大大减轻操作者的劳动强度。

整流子下料装置

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

整流子下料装置。涉及对CELL整流子下料器的改进。提供了一种结构简便，且保证产品质量的整流子下料装置。包括封胶板和下料装置，在所述封胶板上设有若干用于容置所述整流子本体的通孔；所述下料装置包括冲头驱动装置、冲头和下料槽，所述冲头驱动装置包括活塞杆，所述冲头连接在所述活塞杆的下端；所述封胶板搁置在所述下料槽上、处于所述冲头下方。本实用新型利用冲头驱动装置（即气体压动气缸中的活塞杆），活塞杆带动冲头下压，从而导出整流子，实现下料，在导料过程中，通过支撑架实现对冲头的定位，保证了导料位置的准确性；同时，通过定位槽实现对封胶板的定位，保证了产品的质量和提高了生产效率。

光伏二极管

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

光伏二极管。涉及对光伏二极管结构的改进。提供了一种结构合理，避免引线应力对整体效能产生影响的光伏二极管。包括芯片一、芯片二、正极引线、负极引线和封装体，所述芯片一和芯片二同向并联连接在正极引线和负极引线之间。所述负极引线包括负极引线A和负极引线B，负极引线A连接所述芯片一，负极引线B连接所述芯片二，所述负极引线A和负极引线B相互平行。所述负极引线伸出所述封装体的部分为平直形状。本实用新型通过对引线结构和跳线结构的改进，降低了产品的厚度，提高了跳线组装的生产效率，减少占用客户端使用的空间，特别适合今后的流水化作业，自动化作业的发展趋势。

芯片分向装置

专利类型：实用新型法律状态：

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芯片分向装置。涉及一种铜粒预焊芯片的分向装置。提供了一种结构简单，有效地降低生产成本、提高工作效率的芯片分向装置。包括亚克力盒、亚克力盒盖和吸盘；所述亚克力盒表面设有凹槽，所述凹槽深度大于所述芯片厚度、且小于芯片的长度和宽度；所述凹槽呈凸字形，上部面积小的部分为出料部分，下部面积大的部分为芯片容置部分；所述吸盘包括吸盘本体和底盖，所述吸盘本体的正面均布有若干芯片槽，所述吸盘本体的背面设有真空腔，所述底盖密封所述真空腔；所述吸盘本体的正面面积与所述亚克力盒上部面积小的出料部分相适配。本实用新型提高了生产效率，保证了产品质量，满足产品大批量生产的需求。

引线框架

专利类型：实用新型法律状态：

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引线框架。涉及对引线框架的改进。提供了一种增加与塑封料的接触面积，从而提高连接可靠性的引线框架。包括连为一体的散热片、基片和三个引脚，所述三个引脚平行设置，所述三个引脚中两侧引脚的上端设有焊脚，所述散热片与所述基片的连接处之间设有凹槽一；所述基片与所述中间引脚之间的表面上以及所述焊脚与所述两侧引脚之间的表面上设有凹槽二。本实用新型中的引线框架在散热片和基片之间增加了沟槽，同时在引脚和焊脚之间增加了凹槽，在封装的过程中，增大了与塑封料的接触面积，使得溶动的塑封料的流动距离增加，与引线框架正面、侧面结合更加紧密，牢靠，缝隙更小。本实用新型结构简单，提高了使用寿命。

整流桥桥架焊接模

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

整流桥桥架焊接模。涉及对整流桥桥架焊接模的改进。提供了一种结构简单、下料速度快，提高工作效率的整流桥桥架焊接模。所述整流桥桥架包括四个芯片；所述焊接模上设有若干用于容置整流桥桥架的容置槽，在所述容置槽的槽底设有至少一个顶出孔。本实用新型的焊接模在现有模具的基础上，在板型模具的底部开设有顶出孔，同时利用顶针的作用，将整流桥桥架整体顺利顶出；两侧的定位柱和定位孔为顶针和顶出孔的位置对应提供了定位保障，提高了工作效率、缩短了下料时间。本实用新型保证了产品的质量，减少了用手直接拿取时模具和手对整流桥桥架的外力作用。

二极管芯体的酸洗盘

专利类型：实用新型法律状态：

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二极管芯体的酸洗盘。涉及对二极管芯体专用酸洗盘结构的改进。提供了一种能防止冲洗时的交叉污染，且避免引线包胶的二极管芯体的酸洗盘。所述二极管芯体包括上、下引线，及焊接在所述上、下引线之间的芯片；所述酸洗盘包括盘体和盘脚，所述盘体的盘面上开设有若干用于插放所述下引线的插孔，在所述盘面的左右两侧边缘处分别开设有敞口槽。本实用新型在盘体顶面（盘面）的左右侧分别开设敞口槽后，冲洗时，本盘上的水流通过该两敞口槽引流，不会溢流到相邻的酸洗盘上。盘脚截面在所述盘面的左右方向的最大尺寸大于所述敞口槽的宽度；使得酸洗盘在码放时，盘脚不会“陷入”到敞口槽中。

一种肖特基半导体元件的检测方法

专利类型：发明专利法律状态：

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一种肖特基半导体元件的检测方法。涉及对肖特基半导体元件电性能的检测方法。提供了一种能够自动实现优劣判断，进而提高产品质量检验效率及检验精度的肖特基半导体元件的检测方法。本发明的方法按以下步骤进行：1）测合格品比较值；2）测不不合格品比较值；3）对被检测品进行检测；4）比较被测品因变量D和合格品应变量d，D＜d时为合格品，其余为不合格品。本发明首先利用合格品测定合格比较值，即合格应变量；然后利用不合格品测定异常曲线上线点；最后，对批量产品进行伏安特性检测，获得多个电压数值，对多个电压数值进行应变量计算，取其中最大应变量与合格应变量进行比较；最终判断产品合格与否。

贴片式二极管的框架

专利类型：发明专利法律状态：

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贴片式二极管的框架。涉及对大批量加工线上贴片式二极管框架的改进。定位精度高，无需采用辅助定位工装。框架本体上设有布设引线一的横梁一，框架本体上还设有布设引线二的横梁二，横梁二与一的两端通过折返结构相连；折返结构呈U形，U形折返结构朝向外侧的臂上设有折返线。本发明的两引线在冲裁加工时，处于同一板料上，彻底排除了两者在叠放时可能出现的左右串移。前后定位的位置，根据尺寸计算，可在折返结构上刻划折返痕，这样即能保证前后位置的定位精度。使用时，只需沿折返线将上部的横梁二翻折180°即能保证工作面一、工作面二和芯片的轴心重叠。本发明确保了焊接定位问题，且大大提高了焊接加工前辅助工作的效率。

一种评估半导体器件可靠性的方法

专利类型：发明专利法律状态：

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一种评估半导体器件可靠性的方法。涉及对成品半导体器件温度冲击、循环试验方法。提供了一种能适应半导体器件的温度试验需要，且成本低的评估半导体器件可靠性的方法。选取经质量检验合格的半导体器件1~50只，按以下步骤进行：1）、配制高温检测液；2）、配制低温检测液；3）、将所述半导体器件浸入所述高温检测液中；然后迅速浸入所述低温检测液中；随即再第二次浸入所述高温检测液中；随即再第二次浸入所述低温检测液中；4）、将所述半导体器件从所述低温检测液中取出，采用乙醇清洗、烘干，完毕。在所述乙醇清洗、烘干工序后，再对所述半导体器件进行电性检测。本发明操作方便易行，无污染，可将其推广为整个行业的一种试验评估手段。

一种二极管酸处理后的震荡冲洗装置

专利类型：发明专利法律状态：

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一种二极管酸处理后的震荡冲洗装置。涉及一种OJ（Open?Junction）二极管酸处理后的去离子水震荡冲洗装置。提供了一种同步导入高频震荡，使得二极管产生震动和轴向转动，达到有效冲洗死角的二极管酸处理后的震荡冲洗装置。所述二极管酸处理后设置在酸洗盘上，所述震荡冲洗装置包括底座、冲洗头、水槽和震荡装置，所述酸洗盘设在所述水槽上，所述冲洗头设在所述酸洗盘上方；所述震荡装置设在所述水槽的一侧，所述震荡装置包括振子、支架和弹簧，所述振子设在所述支架上部中间位置。本发明结构简单、制造成本低，振动、冲洗效果明显。

一种整流子下料装置及其加工工艺

专利类型：发明专利法律状态：

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一种整流子下料装置及其加工工艺。涉及对CELL整流子下料器及其加工工艺的改进。提供了一种结构简便，且保证产品质量的整流子下料装置及其加工工艺。包括封胶板和下料装置，在所述封胶板上设有若干用于容置所述整流子本体的通孔；所述下料装置包括冲头驱动装置、冲头和下料槽，所述冲头驱动装置包括活塞杆，所述冲头连接在所述活塞杆的下端；所述封胶板搁置在所述下料槽上、处于所述冲头下方。所述整流子本体包括芯片，设于芯片顶面和底面的正负电极；然后对所述整流子本体按以下步骤进行加工的：1）定位；2）涂胶；3）烘干；4）冷却、除胶膜；5）下料。本发明大大节省了劳动时间，减少了人力，提高了工作效率。

超薄贴片二极管

专利类型：实用新型法律状态：

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超薄贴片二极管。涉及太阳能光伏用超薄贴片二极管。提供了一种空间体积小、实用方便和易于加工的超薄贴片二极管。包括芯片、引线一和引线二，还包括跳线，所述引线一和引线二呈片状，所述芯片的底面贴设于所述引线一的内端面；所述跳线呈片状，所述跳线的一端连接芯片的顶面、另一端连接引线二的内端面，使得所述引线一、芯片与引线二相连接。本实用新型将芯片平行于引线放置，有效的减小了产品体积，增加了芯片的接触面积，使得芯片牢牢的固定在引线上，同时还设有呈片状的跳线，进一步牢固了芯片的位置；在引线的外端面设有安装孔，不仅保留了客户焊接使用的方便，而且方便了客户用螺栓进行安装。

整流桥堆的封装体

专利类型：实用新型法律状态：

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本实用新型涉及对整流桥堆封装体结构的改进。提供了一种延长爬电距离，进而能满足高绝缘性要求的整流桥堆的封装体。所述封装体本体的背面为散热面，所述封装体伸出所述整流桥堆引脚的一面为底面，在所述底面上从所述引脚根部至所述背面底边线的部分为阶梯面。本实用新型将封装体底面的后部分（从引脚根部至背面底边线的部分）改进为阶梯面，从截面上看相当于将从引脚根部至背面底边线之间的距离延长了，换句话说也就延长了“爬电路径”，在同样使用环境中，能大大提高产品的耐压等级，增加绝缘性能。

拾取芯片装置

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

本实用新型涉及芯片的拾取装置。提供了一种结构简便，提高工作效率的拾取芯片的装置。包括固晶臂、随动臂、转轴、绷框和绷框架，所述固晶臂头部设有吸嘴，所述随动臂头部设有顶针，所述固晶臂尾部和所述随动臂尾部通过所述转轴连接，所述固晶臂位于所述随动臂上方；所述绷框上绷放有放置芯片的蓝膜，所述绷框设在所述绷框架上，位于所述吸嘴和所述顶针之间。本实用新型采用摆臂式设备将芯片逐个拾取到石墨船中，提高了工作效率，在工作中顶针与吸嘴同轴心设置和同步运动，保证了芯片在上升过程中不会发生倾斜。本实用新型不仅提高了工作效率，还保证了材料的质量，适用性较广。

三相整流桥堆

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

三相整流桥堆。涉及对三相整流桥堆结构的改进。提供了一种生产方便、成本低廉，且整体呈片状的三相整流桥堆。包括二极管芯片一~六、具有引脚的框架一~五、封装体和六只跳线，所述具有引脚的框架一~五为片状、且布设在同一平面上；所述框架一~五上的引脚与所述框架本体处于同一平面上。本实用新型采用一次冲切的框架片、跳线与芯片焊接相连，将焊接好的半成品放在成型模具内采用塑封一次性的环氧塑封料压塑成型，工艺先进，操作简单极大地提高了劳动生产效率和产品质量。采用塑封一体成型，稳定性和绝缘性效果更佳，散热面积大，散热均匀，散热效果更好，机械强度高。此外，成品呈片状，能适合安装空间窄小的使用环境。

单相整流桥堆

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

单相整流桥堆涉及对单相二极管整流桥堆结构的改进。提供了一种能提高散热效果，且能减轻劳动强度的单相整流桥堆。包括封装体、框架一~四和四只芯片，框架二朝向框架一的锐角角部、框架三的两个锐角角部以及框架四朝向框架一的锐角角部分别朝向设置引脚的方向折弯出于各框架本体平行的段差面；四只芯片的N面分别焊接在框架一的两锐角角部平面、框架二朝向框架三的锐角角部平面和框架四朝向框架三的锐角角部平面上。本实用新型使所有芯片朝向一致地设置在产品中，构成整流回路。由于所有大面（N面）朝向顶部散热面，使得产品的散热效果得到提高。并且单一表面的放置，对于操作者来说无需进行仔细的分辨，能大大减轻操作者的劳动强度。

芯片点反装置

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

芯片点反装置。涉及对芯片在加工过程中的点反操作进行改进的装置。提供了一种可以直接在石墨船的下模中将芯片取走的简单、实用的芯片点反装置。包括具有支脚的石墨船，在石墨船表面开设有若干垂直贯穿所述石墨船本体的引线孔，还包括活动垫板，所述活动垫板设于所述石墨船本体的下部；所述活动垫板的两端设斜坡，在所述活动垫板表面开设有若干道引线导料槽；所述引线导料槽与所述引线孔的位置对应，使得所述引线穿出所述引线孔后的底面能置于所述引线导料槽内。在石墨船下部增加了活动垫板，且在活动垫板上设置了引线导料槽，使得引线能够伴随着垫板的左右移动而上下运动，保证了芯片可以焊接在钉头中央，提高了工作效率，提高了成品率。

矮本体整流桥堆

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

矮本体整流桥堆。涉及对整流桥堆结构的改进。提供了一种能降低产品整体高度的矮本体整流桥堆。包括设置在封装体内部的具有纵向引脚的框架一~四、芯片一~四和跳线一~四，所述跳线一~四在所述封装体内部以横向方向设置。本实用新型将原有竖放跳线调整为横放，把芯片与跳线的一端相连另外一端与框架相连，保持原整流能力不变，实现产品本体变矮。进而减小产品高度，降低成本（减少了封装体材料及框架材料利用），满足客户需求。本实用新型通过调整内部布局，实现跳线横向放置，本体高度成功减少34%。

高压二极管组装治具

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

高压二极管组装治具。涉及一种高压二极管芯片的专用组装治具。提供了一种能批量化整理芯片，且操作方便的高压二极管组装治具。包括芯片吸盘和转换板，所述转换板包括基板和盖板，所述盖板固定连接在所述基板作为工作面的顶面上，所述盖板面积小于所述基板顶面面积，使得所述基板的顶面留有外露的工作面部分；所述盖板与基板之间留有间隙，所述间隙的开口朝向所述外露的工作面部分；所述间隙的高度小于所述芯片的宽度及长度。本实用新型的治具具有良好的可操作性，便于组装、清洁，体积小，重量轻，易于实现连续生产作业。

芯片焊接装置

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

本实用新型涉及对芯片焊接装置的改进。提供了一种改善焊接质量，确保焊接牢靠的芯片焊接装置。包括吸盘和石墨船，所述石墨船上设有放置引线的引线孔，还包括用于将所述引线抬升的垫板，所述石墨船的底部两侧设有支脚；所述垫板放置在所述石墨船的底部，且位于所述两侧支脚之间。本实用新型在原有结构的基础上增加了垫板，还提供了一种筛选芯片的方式，即下模的芯片采用已刷好的焊油来粘住并将其定位，利用垫板将引线顶起，用吸盘将筛好的芯片扣到石墨船上，然后在取走吸盘和垫板，芯片随着焊油的粘性与引线一起下落，保证芯片粘在钉头的中央。本实用新型有效的减少不牢固的现象，降低了断料率，节约了原材料，提高了成品率。

三角跳线

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

三角跳线。涉及对三角跳线的改进。提供了一种结构简单，且跳线性能得到很大改善的三角跳线。所述三角跳线本体为片状，所述片状本体开设有至少一个通孔。所述本体包括工作部一、工作部二和工作部三，所述工作部二和工作部三处于同一平面，所述工作部一与所述同一平面平行。本实用新型简化了以往三角跳线的结构，在三角跳线上增加通孔，其在黑胶和跳线在凝合的过程中，增加了黑胶流动路径，加快了黑胶流动速度，使得内部黑胶密度更加均匀，跳线的结构强度增强，提高了产品的性能。将跳线工作部一设为平面，加大了跳线与芯片表面的接触面积，减少了压强，同时降低了焊接和塑封时产生的应力，使两者之间连接更牢固、可靠。

适用于轻、薄片形元器件的提放吸嘴

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

适用于轻、薄片形元器件的提放吸嘴。涉及对片式半导体芯片进行精确拾取、移动、定位、放置的吸取装置。提供了一种结构更为简洁，不损伤芯片，能实现精确位置放置的适用于轻、薄片形元器件的提放吸嘴。包括柔性吸嘴、缸体、活塞、柔性推针和负压源；柔性吸嘴上开设有联通缸体内腔的通孔；柔性推针设置在通孔内，柔性推针的顶端固定连接在活塞的底部；缸体的顶面设有联通负压源的气孔；活塞的顶面上开设有至少一条使缸体内腔联通气孔的凹槽。本实用新型的吸嘴在无需另加控制的情况下，将芯片放置在没有粘附辅助措施的精确位置；实用性强，可靠性高，尤其适应微小薄形芯片的精确拾取、移动、定位、放置工序。

二极管弧形极片的转运装置

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

二极管弧形极片的转运装置。涉及贴片式功率二极管弧形极片的专用转换装置。提供了一种能满足批量生产需求的二极管弧形极片的转运装置。所述弧形极片的两端分别设有相互平行的连接面和引出面，转运装置包括极片筛盘、极片转换模和抽板；筛盘的正面开设有若干排位槽，弧形极片的连接面和引出面朝下地放置在所述排位槽内，排位槽的槽底分别设有连通所述筛盘背面的气孔，筛盘正面的两侧边分别设有定位孔；转换模的正面开设有若干定位槽，弧形极片的连接面和引出面朝上地放置在定位槽内，转换模正面的两侧边分别设有与所述筛盘上定位孔适配的定位销。本实用新型大大提高了该贴片式二极管的加工效率，降低了劳动强度。

灌封单相扁形整流桥堆

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

灌封单相扁形整流桥堆。涉及对灌封单相扁形整流桥堆结构的改进。提供了一种组配时定位精确，进而能提高产品质量稳定性的灌封单相扁形整流桥堆。包括扁平形状的胶壳、引线一~四和四粒片式二极管芯片，所述扁平形状的胶壳中空、且其四个侧面中的一个侧面敞口，所述胶壳敞口面的两相邻侧面上分别开设有定位凹槽。本实用新型的胶壳内设置了能够定位桥式整流电路总成的定位“插槽”；再将引线、芯片加工成桥式整流电路总成；然后插入前述“定位插槽”内，最后进行灌封。本实用新型结构的产品能采用一次性灌胶，散热性好，提高了产品质量；生产效率比传统工艺提高3倍；芯片直接焊接，无需增加小线路板，整个成本上节约20~30%。

一种适用于轻、薄片形元器件的提放吸嘴

专利类型：发明专利法律状态：

详细信息：

一种适用于轻、薄片形元器件的提放吸嘴。涉及对片式半导体芯片进行精确拾取、移动、定位、放置的吸取装置。提供了一种结构更为简洁，不损伤芯片，能实现精确位置放置的适用于轻、薄片形元器件的提放吸嘴。包括柔性吸嘴、缸体、活塞、柔性推针和负压源；柔性吸嘴上开设有联通缸体内腔的通孔；柔性推针设置在通孔内，柔性推针的顶端固定连接在活塞的底部；缸体的顶面设有联通负压源的气孔；活塞的顶面上开设有至少一条使缸体内腔联通气孔的凹槽。本发明的吸嘴在无需另加控制的情况下，将芯片放置在没有粘附辅助措施的精确位置；实用性强，可靠性高，尤其适应微小薄形芯片的精确拾取、移动、定位、放置工序。

一种高压硅堆二极管的焊接工艺

专利类型：发明专利法律状态：

详细信息：

一种高压硅堆二极管的焊接工艺。涉及对高压硅堆二极管的焊接工艺的改进。提供了一种能够使叠放的芯片相互间精确“对角”，进而提高器件耐压水平的高压硅堆二极管的焊接工艺。所述高压硅堆二极管包括相互同轴的上引线和下引线，在上引线和下引线之间焊接有三只正方形芯片，焊接步骤如下：1）一次焊接；将所述下引线置入焊接模具中，然后往所述下引线上端头依次交错叠放焊片和芯片；加温至焊接温度，保温5-15分钟，随后冷却至焊片固化；2）二次焊接；焊片固化后，将所述上引线置入焊接模中，使所述上引线的下端头接触所述最上层焊片；加温至焊接温度，随即冷却固化；3）制得。本发明的工艺能有效消除“错角”现象，大大提高产品的耐压能力。

一种高压二极管组装治具及其操作方法

专利类型：发明专利法律状态：

详细信息：

一种高压二极管组装治具及其操作方法。涉及一种高压二极管芯片的专用组装治具及其操作方法。提供了一种能批量化整理芯片，且操作方便的高压二极管组装治具及其操作方法。包括芯片吸盘和转换板，所述转换板包括基板和盖板，所述盖板固定连接在所述基板作为工作面的顶面上，所述盖板面积小于所述基板顶面面积，使得所述基板的顶面留有外露的工作面部分；所述盖板与基板之间留有间隙，所述间隙的开口朝向所述外露的工作面部分；所述间隙的高度小于所述芯片的宽度及长度。本发明的操作方法步骤：1）灌装；2）连接芯片吸盘；3）转换；4）退料。本发明的治具具有良好的可操作性，便于组装、清洁，体积小，重量轻，易于实现连续生产作业。

半导体元器件的焊接装置

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

半导体元器件的焊接装置。涉及锡焊焊接装置结构的改进。能使熔融焊锡中微小气隙“合并”，进而能从焊料中排出。包括真空仓、设置在真空仓内的工作台和若干用于放置半导体元器件的定位焊接模，工作台通过弹性支架设置在真空仓内；还包括超声波换能器，超声波换能器设置在工作台的侧边。本实用新型将工作台改为浮动式的连接模式，即允许工作台能做高频(频率19.5-35KHz)的机械振动；在工作台的端缘设置超声波换能器，换能器接收到超声波能量后，即驱动工作台做高频、微幅的振动；熔融的焊锡中的微隙，在前述机械振动下，会“合并”为较大的气隙，最终排出。本实用新型能使各零部件高可靠性地焊接为一体，进而大幅度提高成品元器件的品质。

一种多芯片带保护功能二极管

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

一种多芯片带保护功能二极管。涉及对露天使用的二极管结构的改进。能最大限度避免雷电影响，进而能提高整体发电性能可靠性。包括正极引线、负极引线、芯片和封装体，芯片包括一块ZNR芯片和两块或三块二极管芯片；一块ZNR芯片和两块或三块二极管芯片通过正极引线和负极引线构成并联连接。本实用新型采用一个ZNR芯片作为保护元件，采取并联式的连接模式构成了能适用于露天，能最大限度防止雷电侵袭的二极管。工作时，并联的多个二极管芯片、ZNR芯片同时保持工作状态，遇有雷电时，ZNR芯片能起到一定的保护作用；在ZNR芯片不足以产生保护作用时，多芯片带保护功能二极管芯片中也只会损坏1块，过后仍能保持后续的正常工作。

一种大功率片式二极管

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

一种大功率片式二极管。涉及对二极管结构的改进。在空间体积占用一定的情况下，功率成倍增加。二极管包括引线一、引线二、芯片和封装体，芯片至少设有两块，至少两块芯片极性同向地平置，引线一内端的底面分别接触芯片的正极面，引线二内端的顶面分别接触芯片的负极面。本实用新型将芯片设置形式改进为平置式以后，能扩充其中芯片的数量，将多个芯片以“并联”式结构连接，进而实现增大功率的目的。本实用新型在相同体积下，能提高产品的功率；在相同功率下，能提高产品的使用寿命，缩小产品的空间尺寸。

一种片式二极管

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

一种片式二极管。涉及对二极管内部结构的改进。整体尺寸薄，适于在小型空间内利用。包括正极引线、负极引线、芯片和封装体，所述正极引线和负极引线相对的端头设有接触所述芯片的正极工作面和负极工作面；所述芯片平置，所述芯片的正极面和负极面分别连接所述正极引线的正极工作面和负极引线的负极工作面。本实用新型改变了现有二极管芯片垂直于引线的设置方式，将芯片改为平置，在两引线的内端头分别设置与芯片表面尺寸适配的工作面，进而形成了整体尺寸较薄的片式二极管。本实用新型的芯片平行于引线放置，减小了产品体积，而且由于表面更接近封装体外表面，因此散热性能相对提高，能提高产品使用寿命。

一种贴片式二极管的框架结构

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

一种贴片式二极管的框架结构。涉及对贴片式二极管中框架结构的改进。能减少焊接点，进而能减少焊接工序、减少故障可能性。框架本体上设有至少一对用于连接二极管芯片正极的工作面一和连接二极管芯片负极的工作面二，芯片置于所述工作面二上，在工作面一的侧面设有能折弯的跳线片，跳线片朝向所述框架本体折弯后，跳线片的底面接触芯片，进而使芯片连接于工作面一和工作面二之间。本实用新型改变了现有技术中框架的结构形式，在一个工作面的侧面增设一可折弯翻转180°的跳线片，将原独立的跳线片改为与框架连体。本实用新型减少一个焊接点后，能大幅度提高加工的效率，提高产品的可靠性。

一种贴片式二极管的框架

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

一种贴片式二极管的框架。涉及对大批量加工线上贴片式二极管框架的改进。定位精度高，无需采用辅助定位工装。框架本体上设有布设引线一的横梁一，框架本体上还设有布设引线二的横梁二，横梁二与一的两端通过折返结构相连；折返结构呈U形，U形折返结构朝向外侧的臂上设有折返线。本实用新型的两引线在冲裁加工时，处于同一板料上，彻底排除了两者在叠放时可能出现的左右串移。前后定位的位置，根据尺寸计算，可在折返结构上刻划折返痕，这样即能保证前后位置的定位精度。使用时，只需沿折返线将上部的横梁二翻折180°即能保证工作面一、工作面二和芯片的轴心重叠。本实用新型确保了焊接定位问题，且大大提高了焊接加工前辅助工作的效率。

一种二极管的散热结构

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

一种二极管的散热结构。涉及对二极管散热结构的改进。散热效果好，进而能提高产品使用寿命。二极管包括引线一、引线二、芯片和封装体，所述引线一和/或引线二的内端根部呈片形，形成散热段。本实用新型的芯片平行于两引线设置，使得产品整体的高度减小，适合在狭小空间中使用。在引线一或者引线二，或者引线一和二的根部采取增大铜质引线局部面积的措施（即增设散热段），能够将封装体内的热能传导到封装体外，然后封装体外的散热段部分由于与空气接触面积大，能提高热对流的效果，进而提高产品的散热性能，延长产品的使用寿命。

贴片式二极管的框架

专利类型：发明专利法律状态：

详细信息：

贴片式二极管的框架。涉及对大批量加工线上贴片式二极管框架的改进。定位精度高，无需采用辅助定位工装。框架本体上设有布设引线一的横梁一，框架本体上还设有布设引线二的横梁二，横梁二与一的两端通过折返结构相连；折返结构呈U形，U形折返结构朝向外侧的臂上设有折返线。本发明的两引线在冲裁加工时，处于同一板料上，彻底排除了两者在叠放时可能出现的左右串移。前后定位的位置，根据尺寸计算，可在折返结构上刻划折返痕，这样即能保证前后位置的定位精度。使用时，只需沿折返线将上部的横梁二翻折180°即能保证工作面一、工作面二和芯片的轴心重叠。本发明确保了焊接定位问题，且大大提高了焊接加工前辅助工作的效率。

一种贴片式二极管的加工方法

专利类型：发明专利法律状态：

详细信息：

一种贴片式二极管的加工方法。涉及批量生产贴片式二极管的加工方法。结合专用工装，能够大批量、高效生产出合格品。本发明需芯片吸模、焊接模、翻转套模、测试板和包装盒，按1)、组装；2)、焊接；3)、转运；4)、检测；5)、包装的步骤加工。本发明所要加工的产品尺寸小，难以拈捡，特制作了批量转接工装，从芯片归置到焊接、检测、成品包装，所有工序均采用批量转接，使得加工的效率大幅度提高。根据贴片式二极管的结构特性，提供了测试板，它具有一个便于批量定位的布设有若干排凸字形槽的绝缘面板，产品可置入该面板的槽内；在槽底设置了两个面：一个绝缘面、一个导电面。本发明加工效率高，非接触式加工使得产品质量得到进一步保障。

封装光伏整流桥堆

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

封装光伏整流桥堆。涉及对封装光伏整流桥堆结构的改进。电性能更好，结构更加合理。本实用新型包括框架、跳线、二极管芯片和封装体，所述框架有四只引脚伸出封装体外，所述二极管芯片为光伏二极管芯片；所述封装体中部设有贯穿孔。本实用新型采用光伏二极管，光伏二极管可以实现正向电压在0.5V以下，电流通电能力较强。提升了产品整体的电性能。在封装体中部设置了贯穿孔，可通过其实现与支撑件的连接，从而确保器件整体的空间位置的稳固性。

一种用MOS工艺结构集成的二极管芯片

专利类型：发明专利法律状态：

详细信息：

一种用MOS工艺结构集成的二极管芯片。涉及一种由多个单元集成的二极管芯片。本发明芯片的硅片中集成有若干个含有8个半导体管的“细胞”电路，每个半导体管中均设有栅(G)、源(S)、漂移区、漏(D)，所述的栅(G)、源(S)短接；在硅片两面设正极面铝钛镍银金属层、负极面铝钛镍银金属层，所述栅(G)嵌入正极面铝钛镍银金属层的底面，所述漏(D)接触负极面铝钛镍银金属层的顶面。本发明采用MOS工艺结构设计制造，根据MOC场效应晶体管P沟道器件效应原理，设计成栅-源短路新型结构。正向导通压降小、正向导通功耗及发热量小、电流通过能力强、反向漏电流小、反向高温特性好和具有较强抗静电抗雷电能力。

片式肖特基二极管

专利类型：实用新型法律状态：

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片式肖特基二极管。涉及肖特基二极管。能用于共晶焊。包括由重掺杂硅衬底及硅外延层构成的外延片、欧姆接触电极、周边围有P+环的势垒金属硅化物、势垒金属硅化物上的金属电极以及顶部钝化层，其特征是，所述欧姆接触电极为镀覆在重掺杂硅衬底底面的金层；所述的硅外延层厚度1-10μm。本实用新型采用了在掺砷衬底的底面镀覆Au的工艺，能有效的实现与框架的共晶焊，实现器件外形片式样，小型样，从而拓宽了应用范围。P型环有效终结肖特基结边沿处的电场，钝化层能更好的终断反向漏电流，特别是能抑制边沿处的漏电流，背面掺砷衬底上镀Au电极使芯片实现与框架共晶，从而使器件片式化小型化。

高耐压低反向电流整流桥堆

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

高耐压低反向电流整流桥堆。涉及对高耐压低反向电流整流桥堆结构的改进。厚度小，散热面积大，进而能确保器件使用寿命和使用性能。包括四个芯片式二极管以及承载二极管的框架，框架包括进片一、进片二、出片一和出片二，进片一和进片二处于同一平面，四个芯片正反交替地分别连接于其上，出片一和出片二从四个芯片的顶部将四个芯片相连。本实用新型的四颗芯片放置在同一个平面，只需将四个铜框架从两面进行连接焊接，即可形成桥式电路。制成品的整体厚度降低了，平面面积增大了，大大提高了散热的效果。此外，减少了加工时的焊接工序，在一道工序上进行四个芯片的焊接，提高了加工的效率。减少劳动强度及工序、提高生产效率、提高器件的散热性能。

整流桥堆的框架

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

整流桥堆的框架。涉及整流桥堆框架的改进。能减少零件，减少作业工序。包括用于连接四粒芯片式二极管进而形成桥式电路的框架体和跳线，所述跳线呈条状，一端设连接框架体的连接面一，另一端连接二极管的连接面二，所述跳线上设弯折部，使连接面一和连接面二间形成段差。本实用新型在跳线与芯片连接处设置一折弯部(折断面)。使得连接面一和连接面二处于不同的高度上。当然是符合设计要求，能确保桥路的形成。此外，跳线与芯片连接处形成一个折断面，实现了一个高度差，可以取代铜粒。减少零部件、作业工序，降低劳动强度，提高生产效率。

一种贴片式二极管的检测装置

专利类型：发明专利法律状态：

详细信息：

一种贴片式二极管的检测装置。涉及一种贴片式二极管的批量检测装置。能大大缩短检测时间，提高检测效率，并能与正在研制中的自动检测装置适配。它由绝缘面板、导电底板构成；所述的绝缘面板上开设有若干排凸字形槽眼，导电底板上对应凸字形槽眼的上半部分设有绝缘层。本发明根据贴片式二极管两个电极处于同一平面的结构特征，设置了一个便于批量定位的布设有若干排凸字形槽眼的绝缘面板，贴片式二极管可以置入该面板的槽眼内；然后，在槽底设置了两个面：一个绝缘面、一个导电面。这样，二极管的两个电极尽管处于同一平面，但芯片的底面接触的是导电底板、桥的电极面接触支撑在绝缘区域，检测时检测头、二极管、导电底板、检测仪器之间形成回路。

金属氧化物场效应二极管及MOS二极管

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

金属氧化物场效应二极管及MOS二极管。涉及一种二极管元胞以及由多个元胞集成的二极管芯片。以硅片为基材，它包括栅、源、漏、源N+区、漏N+区、P+区、P阱区、正极片和负极片；源N+区的顶面为源极，漏N+区的底面为漏极，栅的顶面为栅极；硅片设有上、下两层，上层为高阻区，下层为漏N+区；源N+区、P+区和P阱区均设于高阻区的上部；正极片设于硅片顶面，负极片设于漏N+区的底面；栅极和源极相互短接；源N+区同栅、P+区、P阱区及正极片相连；P+区还同P阱区及正极片相连；P阱区还同栅及高阻区相连。本实用新型中通过MOS工艺集成的MOS二极管它包含至少二个所述一种金属氧化物场效应二极管，相互并联集成于所述硅片上。本实用新型的产品速度快，频率高。

一种二极管芯片的清洗工艺

专利类型：发明专利法律状态：

详细信息：

一种二极管芯片的清洗工艺。涉及清洗工艺中所用清洗液配方的改进。能进一步减少芯片侧表面金属离子，从而避免芯片在工作中会出现“爬电”现象。依次包括混酸洗、双磷洗和氨洗，氨洗时的清洗液包括氨水、水和双氧水，它们的重量比是氨水1份∶水2-3.5份∶双氧水0.15-0.3份。与以往的配方相比，本发明在氨洗液中加入了双氧水，在充分混合的情况下通过下酸管道下到酸洗盘上，酸液没过上钉头(相当于芯片上端面的夹具部件)使得反应充分，进而能使芯片侧表面的金属杂质去除得更加彻底，材料在高温下使用更加稳定，降低由于表面漏电的偏大而导致材料电性的不稳定。

一种金属氧化物场效应二极管及MOS二极管

专利类型：发明专利法律状态：

详细信息：

金属氧化物场效应二极管及MOS二极管。涉及一种二极管元胞及由多个元胞集成的二极管芯片。以硅片为基材，包括栅、源、漏、源N+区、漏N+区、P+区、P阱区、正极片和负极片；源N+区的顶面为源极，漏N+区的底面为漏极，栅的顶面为栅极；硅片设有上、下两层，上层为高阻区，下层为漏N+区；源N+区、P+区和P阱区均设于高阻区的上部；正极片设于硅片顶面，负极片设于漏N+区的底面；栅极和源极相互短接；源N+区同栅、P+区、P阱区及正极片相连；P+区还同P阱区及正极片相连；P阱区还同栅及高阻区相连。本发明中通过MOS工艺集成的MOS二极管它包含至少二个所述一种金属氧化物场效应二极管，相互并联集成于所述硅片上。本发明的产品速度快，频率高。

用MOS工艺结构集成的二极管芯片

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

用MOS工艺结构集成的二极管芯片。涉及一种由多个单元集成的二极管芯片。本实用新型芯片的硅片中集成有若干个含有8个半导体管的“细胞”电路，每个半导体管中均设有栅(G)、源(S)、漂移区、漏(D)，所述的栅(G)、源(S)短接；在硅片两面设正极面铝钛镍银金属层、负极面铝钛镍银金属层，所述栅(G)嵌入正极面铝钛镍银金属层的底面，所述漏(D)接触负极面铝钛镍银金属层的顶面。本实用新型采用MOS工艺结构设计制造，根据MOC场效应晶体管P沟道器件效应原理，设计成柵-源短路新型结构。正向导通压降小、正向导通功耗及发热量小、电流通过能力强、反向漏电流小、反向高温特性好和具有较强抗静电抗雷电能力。

贴片式二极管的检测装置

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

贴片式二极管的检测装置。涉及一种贴片式二极管的批量检测装置。能大大缩短检测时间，提高检测效率，并能与正在研制中的自动检测装置适配。它由绝缘面板、导电底板构成；所述的绝缘面板上开设有若干排凸字形槽眼，导电底板上对应凸字形槽眼的上半部份设有绝缘层。本实用新型根据贴片式二极管两个电极处于同一平面的结构特征，设置了一个便于批量定位的布设有若干排凸字形槽眼的绝缘面板，贴片式二极管可以置入该面板的槽眼内；然后，在槽底设置了两个面：一个绝缘面、一个导电面。这样，二极管的两个电极尽管处于同一平面，但芯片的底面接触的是导电底板、桥的电极面接触支撑在绝缘区域，检测时检测头、二极管、导电底板、检测仪器之间形成回路。

贴片式二极管的吸塑包装盒

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

贴片式二极管的吸塑包装盒。涉及一种包装盒。包括盒体、盒盖，所述盒体的板面上均布有若干凸字形凹槽，所述凹槽深度略大于贴片式二极管的高度，凹槽截面略大于贴片式二极管平面轮廓。本实用新型对批量生产模式进行了扩展，包装工序能适应上述生产模式批量化的需求。

太阳能发电组件的旁路二极管模块

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

太阳能发电组件的旁路二极管模块。涉及的是太阳能发电装置的电路原件。包括铝质盒体、铜质框架片、至少两个二极管芯片、跳片，其特征在于，所述的铜质框架片包括设置在铝质盒体内的连接部和设置在铝质盒体外的端子部，连接部对应各二极管芯片设有相互分隔的区域，各连接部的一部分伸出铝质盒体形成所述的端子部；各二极管芯片的N面焊接在连接部相互分隔的区域上，彼此不相连；所述的跳片一端焊接在各二极管芯片的P面上，另一端与相邻的连接部相互分隔的区域相连；设置在最末的跳片的另一端与最末端子部相连；铜质框架片与铝质盒体之间设有灌封环氧树脂胶。本实用新型散热性能好、电路的可靠性稳定、且整体式的设计，使用方便。

一种贴片式二极管的加工方法

专利类型：发明专利法律状态：

详细信息：

一种贴片式二极管的加工方法。涉及批量生产贴片式二极管的加工方法。结合专用工装，能够大批量、高效生产出合格品。本发明需芯片吸模、焊接模、翻转套模、测试板和包装盒，按1)组装；2)焊接；3)转运；4)检测；5)包装的步骤加工。本发明所要加工的产品尺寸小，难以拈捡，特制作了批量转接工装，从芯片归置到焊接、检测、成品包装，所有工序均采用批量转接，使得加工的效率大幅度提高。根据贴片式二极管的结构特性，提供了测试板，它具有一个便于批量定位的布设有若干排凸字形槽的绝缘面板，产品可置入该面板的槽内；在槽底设置了两个面：一个绝缘面、一个导电面。本发明加工效率高，非接触式加工使得产品质量得到进一步保障。

一种用MOS工艺结构集成的二极管芯片

专利类型：发明专利法律状态：

详细信息：

一种用MOS工艺结构集成的二极管芯片。涉及一种由多个单元集成的二极管芯片。本发明芯片的硅片中集成有若干个含有8个半导体管的“细胞”电路，每个半导体管中均设有栅(G)、源(S)、漂移区、漏(D)，所述的栅(G)、源(S)短接；在硅片两面设正极面铝钛镍银金属层、负极面铝钛镍银金属层，所述栅(G)嵌入正极面铝钛镍银金属层的底面，所述漏(D)接触负极面铝钛镍银金属层的顶面。本发明采用MOS工艺结构设计制造，根据MOC场效应晶体管P沟道器件效应原理，设计成柵-源短路新型结构。正向导通压降小、正向导通功耗及发热量小、电流通过能力强、反向漏电流小、反向高温特性好和具有较强抗静电抗雷电能力。

一种贴片式二极管的检测装置

专利类型：发明专利法律状态：

详细信息：

一种贴片式二极管的检测装置。涉及一种贴片式二极管的批量检测装置。能大大缩短检测时间，提高检测效率，并能与正在研制中的自动检测装置适配。它由绝缘面板、导电底板构成；所述的绝缘面板上开设有若干排凸字形槽眼，导电底板上对应凸字形槽眼的上半部份设有绝缘层。本发明根据贴片式二极管两个电极处于同一平面的结构特征，设置了一个便于批量定位的布设有若干排凸字形槽眼的绝缘面板，贴片式二极管可以置入该面板的槽眼内；然后，在槽底设置了两个面：一个绝缘面、一个导电面。这样，二极管的两个电极尽管处于同一平面，但芯片的底面接触的是导电底板、桥的电极面接触支撑在绝缘区域，检测时检测头、二极管、导电底板、检测仪器之间形成回路。

单相桥式整流器

专利类型：外观专利法律状态：

详细信息：

省略其它视图。

光伏二极管

专利类型：外观专利法律状态：

详细信息：

整流器(三相桥式)

专利类型：外观专利法律状态：

详细信息：

省略其它视图。

改进型贴片式超高频桥式整流器

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

改进型贴片式超高频桥式整流器。本实用新型涉及一种半导体整流器件。它由从引线框架上截取的四只引线脚、芯片、连接芯片的连接片和封塑构成，四只引线脚朝向整流器中部为连接区，上部引线脚的正反面分别设芯片，所述四只引线脚连接区下部的两只引线脚分别高于和低于上部一对引线脚，高度差略大于芯片厚度；所述的连接片为T形平片状，T形状的竖梁偏置，其三个搭接头分别连接上部一对引线脚正面或反面上的芯片以及下部一只高度对应的引线脚。本实用新型在框架的下引线脚部位设置折弯点，使得加工更为合理，能大大减轻了操作者的劳动强度，另采取多点定位可确保折弯处的加工精度，大大提高了产品的精度。

贴片式功率二极管

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

贴片式功率二极管。本实用新型涉及的是电子整流器件。它包括玻璃钝化二极管芯片、设在玻璃钝化二极管芯片的两面用于连接极片的焊片、连接在底部的底面极片，在玻璃钝化二极管芯片的顶面焊片上连接有弧形极片；弧形极片的两端分别设有与玻璃钝化二极管芯片的顶面焊片连接的连接面和引出面；弧形极片的引出面与底面极片的引出面平行。本实用新型结构简单、导热性能好、应力小、生产制造效率高、成本低、适用于SMD工艺。

一种三相整流桥封装外壳

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

本实用新型公开了一种三相整流桥封装外壳，其包括壳体，壳体由底壁和侧壁组成，所述底壁和侧壁共同形成一封装腔，封装腔内的底壁表面上布置有高耐压、低热阻的绝缘薄膜，高耐压、低热阻的绝缘薄膜的外边缘沿侧壁向上延伸形成一周紧贴侧壁内表面的护围。本实用新型采用设置绝缘薄膜代替塑料框架的封装方式，使铜板与金属外壳之间的间距减小，器件的结－壳热阻降低，从而提高了器件的导热性能，并使得在相同的封装体积中，可以封装更大电流的二极管芯片，提高了器件的电流指标。

一种光伏二极管

专利类型：实用新型法律状态：

详细信息：

本实用新型公开了一种半导体器件技术领域中的光伏二极管，所述光伏二极管包括由新型铝材料制成的封装外壳、肖特基结、以及两个引脚；由新型铝材料制成的封装外壳包括一底部封闭的封装腔，肖特基结处于封装腔内；上述其中一个引脚的一端连接在肖特基结的一端，且该引脚的另一端贯穿封装腔底部处于封装腔外；另一个引脚的一端与肖特基结的另一端相连，且该引脚的另一端延伸处于圆柱状的封装腔外；圆柱状的封装腔内填充有高导热封装树脂。本实用新型采用新型铝材料制成的封装外壳具有散热快、体积小、强度高、热阻低等优点，而且可有效地降低结温。

光伏二极管

专利类型：外观专利法律状态：

详细信息：

1.后视图与主视图对称，省略后视图。2.俯视图、仰视图与主视图相同，省略俯视图、仰视图。

整流桥	海信	80	10000	至今5年以上
整流桥	深圳晶辰	80	800	至今3-5年
肖特基二极管	大金	50	300	至今小于1年
结整流二极管	飞利浦	50	2000	至今3-5年
结整流二极管	海信	50	10000	至今5年以上



发证机构：	贝尔国际验证技术服务（成都）有限公司		证书编号：		STQ12033
认证依据：	GB/T19001-2008/ISO9001:2008		状态：	失效
认证覆盖业务范围：
证书体系覆盖人数：		300	证书到期日期:			Sat Feb 06 00:00:00 CST 2016



发证机构：	贝尔国际验证技术服务（成都）有限公司		证书编号：		40036-1
认证依据：	ISO/TS16949:2009		状态：	失效
认证覆盖业务范围：
证书体系覆盖人数：		1130	证书到期日期:			Fri Sep 14 00:00:00 CST 2018



发证机构：	贝尔国际验证技术服务（成都）有限公司		证书编号：		2011/40035.6
认证依据：	ISO9001:2015		状态：	失效
认证覆盖业务范围：
证书体系覆盖人数：		454	证书到期日期:			Sun May 16 00:00:00 CST 2021



发证机构：	贝尔国际验证技术服务（成都）有限公司		证书编号：		STE11092-03
认证依据：	ISO14001:2015		状态：	失效
认证覆盖业务范围：
证书体系覆盖人数：		454	证书到期日期:			Wed Jul 01 00:00:00 CST 2020

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